[實用新型]PERC太陽電池有效
| 申請號: | 201822176780.1 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209169152U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 蘇曉東;王霆;蘆政 | 申請(專利權)人: | 嘉興尚能光伏材料科技有限公司;蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司: | 寧波高新區核心力專利代理事務所(普通合伙) 33273 | 代理人: | 袁麗花 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀洲*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介質層 硅片 光電轉換效率 本實用新型 第二表面 第一表面 復合結構 鈍化層 金屬納米顆粒 長波響應 電池正面 硅片表面 相對設置 反射率 光吸收 陣列層 背面 電池 | ||
本實用新型公開了一種PERC太陽電池,所述PERC太陽電池包括硅片及位于硅片表面的復合結構,所述硅片包括相對設置的第一表面和第二表面,第一表面下方形成有PN結,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、位于鈍化層上的介質層、及位于介質層內或介質層表層的金屬納米顆粒陣列層。本實用新型中PERC太陽電池的長波響應得到明顯的提升,電池正面光電轉換效率有一定的提高;背面反射率明顯下降,提高了背面的光吸收,從而大幅提高了電池背面的光電轉換效率;PERC太陽電池的雙面率得到了有效的提高,取得了意想不到的效果。
技術領域
本實用新型屬于太陽電池技術領域,尤其是一種PERC太陽電池。
背景技術
光伏發電是新能源的重要組成,近年來獲得了飛速發展。但光伏發電要成為未來主力能源形勢,必須要實現高效率與低成本。目前商業化的太陽電池產品中,晶體硅(單晶和多晶)太陽電池的市場份額最大,一直保持接近九成的市場占有率。其中局部接觸背鈍化(PERC)太陽電池由于較高的光電轉換效率,以及相對簡單的工藝流程,目前逐漸成為業內主流的產業化晶硅太陽電池技術。
PERC太陽電池的核心是在硅片的背面用氧化鋁或者氧化硅薄膜(5~100nm)覆蓋,以起到鈍化表面、提高長波響應的作用,從而提升電池的轉換效率。但是,氧化鋁或者氧化硅不導電,因此需要對該薄膜局部開口,以便于鋁漿與硅片背表面接觸,收集電流。另外,鋁漿在高溫燒結過程中,會破壞氧化鋁或者氧化硅的鈍化作用,因此通常要在氧化鋁或者氧化硅薄膜上再覆蓋氮化硅介質膜,起到保護作用。現有的PERC太陽能電池的制備方法主要包括如下步驟:制絨、擴散、背拋光、刻蝕和去雜質玻璃、背面沉積氧化鋁或氧化硅薄膜、沉積氮化硅保護膜、正面沉積氮化硅減反射層、背面局部開口、絲網印刷正背面金屬漿料、燒結,即可得到PERC太陽電池。
其中,PERC雙面電池的兩面均可受光發電,同時鋁漿成本降低,具有優良的雙玻封裝可靠性,目前已是一種產業化程度較為成熟的太陽能電池。在現有技術中,為了保證背面鈍化膜的鈍化質量,背面要進行拋光處理,這樣會導致雙面電池的背面反射率較高,從而影響電池片的背面轉換效率;另外,長波長的光子在被吸收前會透過硅片背面,從而也會影響電池片的正面轉換效率。
因此,針對上述技術問題,有必要提供一種PERC太陽電池。
實用新型內容
針對現有技術不足,本實用新型的目的在于提供一種PERC太陽電池。
為了實現上述目的,本實用新型一實施例提供的技術方案如下:
一種PERC太陽電池,所述PERC太陽電池包括硅片及位于硅片表面的復合結構,所述硅片包括相對設置的第一表面和第二表面,第一表面下方形成有PN結,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、位于鈍化層上的介質層、及位于介質層內或介質層表層的金屬納米顆粒陣列層。
作為本實用新型的進一步改進,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、及位于鈍化層上的介質層,所述金屬納米顆粒陣列層位于介質層的上表層和/或下表層上。
作為本實用新型的進一步改進,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、位于鈍化層上的第一介質層、及位于第一介質層上的第二介質層,所述金屬納米顆粒陣列層位于第一介質層和第二介質層之間。
作為本實用新型的進一步改進,所述鈍化層包括SiNx、SiO2、Al2O3中的一種或多種,鈍化層的厚度為1~100nm,所述介質層包括SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2中的一種或多種,介質層的厚度為1~100nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





