[實用新型]PERC太陽電池有效
| 申請號: | 201822176780.1 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209169152U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 蘇曉東;王霆;蘆政 | 申請(專利權)人: | 嘉興尚能光伏材料科技有限公司;蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司: | 寧波高新區核心力專利代理事務所(普通合伙) 33273 | 代理人: | 袁麗花 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀洲*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介質層 硅片 光電轉換效率 本實用新型 第二表面 第一表面 復合結構 鈍化層 金屬納米顆粒 長波響應 電池正面 硅片表面 相對設置 反射率 光吸收 陣列層 背面 電池 | ||
1.一種PERC太陽電池,其特征在于,所述PERC太陽電池包括硅片及位于硅片表面的復合結構,所述硅片包括相對設置的第一表面和第二表面,第一表面下方形成有PN結,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、位于鈍化層上的介質層、及位于介質層內或介質層表層的金屬納米顆粒陣列層。
2.根據權利要求1所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、及位于鈍化層上的介質層,所述金屬納米顆粒陣列層位于介質層的上表層和/或下表層上。
3.根據權利要求1所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述復合結構包括位于硅片第二表面上的鈍化層、位于鈍化層上的第一介質層、及位于第一介質層上的第二介質層,所述金屬納米顆粒陣列層位于第一介質層和第二介質層之間。
4.根據權利要求2所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述鈍化層包括SiNx、SiO2、Al2O3中的一種或多種,鈍化層的厚度為1~100nm,所述介質層包括SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2中的一種或多種,介質層的厚度為1~100nm。
5.根據權利要求3所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述鈍化層包括SiNx、SiO2、Al2O3中的一種或多種,鈍化層的厚度為1~100nm,所述第一介質層包括SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2中的一種或多種,第一介質層的厚度為1~100nm,所述第二介質層包括SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2中的一種或多種,第二介質層的厚度為1~100nm。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述金屬納米顆粒陣列層包括Ag、Cu、Au、Pt、Al納米顆粒中的一種或多種,金屬納米顆粒的平均尺寸范圍為1~200nm,金屬納米顆粒的平均間距為1~500nm。
7.根據權利要求1所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述硅片的第一表面上設有減反層,所述減反層包括SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2中的一種或多種,減反層的厚度為1~100nm。
8.根據權利要求1所述的PERC太陽電池,其特征在于,所述硅片為單晶硅片、類單晶硅片、多晶硅片或直接硅片,硅片的厚度范圍為20μm~200μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





