[實用新型]芯片的扇出型封裝結構有效
| 申請號: | 201822172131.4 | 申請日: | 2018-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN209374442U | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 孫鵬;任玉龍 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/482 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱靜謙 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬端子 芯片 扇出型封裝 封裝層 等效熱膨脹系數 本實用新型 產品翹曲 第一表面 分布設置 封裝結構 芯片正面 信號互連 電連接 多芯片 封裝體 面封裝 體積比 形變 包封 底面 堆疊 翹曲 貼合 載片 封裝 平衡 | ||
本實用新型公開了一種芯片的扇出型封裝結構,包括:底面相對貼合的第一芯片和第二芯片;多個金屬端子,分布在第一芯片周圍,金屬端子的一面與第一芯片的正面在同一平面;引線,連接在第二芯片正面和金屬端子的另一面之間;封裝層,包封第一芯片、第二芯片、引線以及金屬端子;引出層,設置在封裝層的第一表面上,分別與金屬端子的一面和/或第一芯片的正面電連接。相比于采用載片整面封裝的扇出型封裝結構,分布設置多個金屬端子,利用金屬端子的體積比,平衡封裝結構,例如,降低封裝體等效熱膨脹系數的數值,以便控制產品翹曲,降低封裝形變翹曲。并且可以通過多個金屬端子實現Z方向堆疊多芯片的信號互連。
技術領域
本實用新型涉及半導體封裝技術領域,具體涉及一種芯片的扇出型封裝結構。
背景技術
現有技術中的芯片封裝工藝中,例如扇出型封裝結構,為人工重構的晶圓,重構晶圓含有塑膠、硅及金屬材料,其中硅與塑膠之間的體積邊和和熱膨脹系數在X、Y、Z各個方向上的不同,都會導致工藝加熱及冷卻時,熱漲冷縮效應影響封裝體的翹曲現象。
實用新型內容
因此,本實用新型提供一種芯片的扇出型封裝結構,降低封裝體的翹曲變形。
本實用新型實施例提供了一種芯片的扇出型封裝結構,至少包括:底面相對貼合的第一芯片和第二芯片;多個金屬端子,分布在所述第一芯片周圍,所述金屬端子的一面與所述第一芯片的正面在同一平面;引線,連接在所述第二芯片正面和金屬端子的另一面之間;封裝層,包封所述第一芯片、第二芯片、引線以及金屬端子,具有第一表面及與所述第一表面相對立的第二表面,所述第一表面與所述金屬端子的一面與所述第一芯片的正面在同一平面;引出層,設置在所述封裝層的第一表面上,分別與所述金屬端子的一面第一芯片的正面電連接。
可選地,所述引出層包括:第一重布線層,所述布線層形成在所述封裝層的第一表面,與所述第一芯片正面和部分金屬端子的一面電連接。過孔。
可選地,所述引出層還包括:介質層,設置在所述布線層的表面,具有多個過孔;第二重布線層,設置在所述介質層表面,通過所述過孔分別與所述第一重布線層、所述金屬端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一電連接。
可選地,引出層還包括:引腳,分布在所述第二重布線層上。
可選地,所述封裝層的第一表面暴露所述金屬端子的一面和第一芯片的正面。
可選地,所述封裝層包括塑封層。
可選地,所述第一芯片和所述第二芯片之間包括焊接層、燒結層或粘接層中的任意一種。
本實用新型技術方案,具有如下優點:
相比于現有技術中的采用載片封裝的扇出型封裝結構,分布設置多個金屬端子結構一方面,金屬端子的體積較小,利用金屬端子的體積比,平衡封裝層,例如塑封結構的材料的熱膨脹系數,降低封裝體等效熱膨脹系數的數值,以便控制產品翹曲,降低封裝形變翹曲。并且可以通過多個金屬端子可以成為信號互連的一個橋梁,實現Z方向堆疊多芯片的信號互連。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型具體實施方式或現有技術中的技術方案,下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施方式,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型實施例提供的芯片的扇出型封裝結構截面示例的結構圖;
圖2~圖10為本實用新型實施例提供的芯片的扇出型封裝結構封裝方法具體示流程圖。
附圖標記:
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