[實用新型]一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822166811.5
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN209150114U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張黎;陳棟;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

本實用新型公開了一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。其感知芯片（10）設(shè)置在中央，控制芯片（20）和被動元件（30）就近圍繞感知芯片（10）設(shè)置，通孔連接件（41）設(shè)置在控制芯片（20）和/或被動元件（30）的外圍，并上下分別連接正面再布線金屬結(jié)構(gòu)（50）與背面再布線金屬結(jié)構(gòu)（80）；感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30）通過正面再布線金屬結(jié)構(gòu)（50）與金屬柱（412）選擇性連接，金屬柱（412）將感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30）的正面的電信號引導(dǎo)至整個封裝結(jié)構(gòu)的背面輸出。其提供了一種實現(xiàn)感知功能模塊領(lǐng)域薄型化系統(tǒng)級的封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

在當(dāng)前的半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，系統(tǒng)級封裝基于產(chǎn)品尺寸縮小、功能化等方面的特點，越來越受到終端用戶的青睞。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝需要通過載板（通常為有機基板或陶瓷基板）將各類芯片、封裝體和被動元件，通過表面貼裝、引線鍵合和倒裝回流方式集成在一起，從而形成具有一定輸入/輸出功能的系統(tǒng)或子系統(tǒng)模塊。但是，隨著終端對封裝尺寸的更高更加嚴(yán)苛的要求，傳統(tǒng)方案的系統(tǒng)級封裝在很多的系統(tǒng)模塊領(lǐng)域應(yīng)用中受到了限制，尤其是在封裝厚度方面，薄型化的系統(tǒng)級封裝在感知功能模塊領(lǐng)域的需求越來越迫切，勢必需要有新的封裝技術(shù)方案予以解決。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)的不足，提供一種實現(xiàn)感知功能模塊領(lǐng)域薄型化系統(tǒng)級封裝的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，以提高封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。

本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的：

本實用新型一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括感知芯片、控制芯片、被動元件，所述感知芯片的正面設(shè)有感知區(qū)域，所述感知區(qū)域的電路與感知芯片的芯片電極的電路均設(shè)置于感知芯片的內(nèi)部，所述控制芯片和被動元件均有若干個。

其還包括包封體、通孔連接件、正面再布線金屬結(jié)構(gòu)、功能膜和背面再布線金屬結(jié)構(gòu)，所述感知芯片、控制芯片、通孔連接件、被動元件均被嵌入包封體內(nèi)；

所述感知芯片設(shè)置在中央，所述控制芯片和被動元件就近圍繞感知芯片設(shè)置，所述通孔連接件包含若干個貫穿絕緣材料層的金屬柱，其設(shè)置在控制芯片和/或被動元件的外圍，并上下貫穿包封體，所述正面再布線金屬結(jié)構(gòu)通過金屬柱與背面再布線金屬結(jié)構(gòu)連接；

所述包封體的上表面覆蓋正面再布線金屬結(jié)構(gòu)，其正面再布線金屬結(jié)構(gòu)開口露出感知芯片的感知區(qū)域，所述感知芯片、控制芯片、被動元件與金屬柱通過正面再布線金屬結(jié)構(gòu)選擇性連接；

所述功能膜通過粘黏膠層覆蓋正面再布線金屬圖形層及正面再布線金屬結(jié)構(gòu)開口；

所述包封體的下表面覆蓋背面再布線金屬結(jié)構(gòu)，所述金屬柱將感知芯片、控制芯片、被動元件的正面的電信號引導(dǎo)至整個封裝結(jié)構(gòu)的背面，經(jīng)背面再布線金屬結(jié)構(gòu)輸出。

本實用新型所述感知芯片、控制芯片、被動元件、包封體、通孔連接件的上表面均與包封體的上表面齊平。

本實用新型所述正面再布線金屬結(jié)構(gòu)包括至少一層絕緣介電層和至少一層正面再布線金屬圖形層，絕緣介電層和正面再布線金屬圖形層交叉層層交錯設(shè)置，可以形成兩層或兩層以上的多層再布線金屬圖形層，再布線金屬圖形層彼此之間存在選擇性電性連接，介電材料包裹再布線金屬圖形層和/或填充于相鄰的再布線金屬圖形層之間形成絕緣介電層。

本實用新型所述背面再布線金屬結(jié)構(gòu)包括至少一層絕緣介電層和至少一層正面再布線金屬圖形層，絕緣介電層和正面再布線金屬圖形層交叉層層交錯設(shè)置，可以形成兩層或兩層以上的多層再布線金屬圖形層，再布線金屬圖形層彼此之間存在選擇性電性連接，介電材料包裹再布線金屬圖形層和/或填充于相鄰的再布線金屬圖形層之間形成絕緣介電層。

本實用新型所述背面再布線金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置若干個背面再布線金屬結(jié)構(gòu)開口，其內(nèi)設(shè)置金屬電極。