[實用新型]一種半導體芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201822166811.5
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN209150114U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 張黎;陳棟;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

1.一種半導體芯片的封裝結構，其包括感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30），所述感知芯片（10）的正面設有感知區域（12），所述感知區域（12）的電路與感知芯片（10）的芯片電極的電路均設置于感知芯片（10）的內部，所述控制芯片（20）和被動元件（30）均有若干個，

其特征在于，其還包括包封體（40）、通孔連接件（41）、正面再布線金屬結構（50）、功能膜（70）和背面再布線金屬結構（80），所述感知芯片（10）、控制芯片（20）、通孔連接件（41）、被動元件（30）均被嵌入包封體（40）內；

所述感知芯片（10）設置在中央，所述控制芯片（20）和被動元件（30）就近圍繞感知芯片（10）設置，所述通孔連接件（41）包含若干個貫穿絕緣材料層（414）的金屬柱（412），其設置在控制芯片（20）和/或被動元件（30）的外圍，并上下貫穿包封體（40），所述正面再布線金屬結構（50）通過金屬柱（412）與背面再布線金屬結構（80）連接；

所述包封體（40）的上表面覆蓋正面再布線金屬結構（50），其正面再布線金屬結構開口（501）露出感知芯片（10）的感知區域（12），所述感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30）與金屬柱（412）通過正面再布線金屬結構（50）選擇性連接；

所述功能膜（70）通過粘黏膠層（60）覆蓋正面再布線金屬圖形層（50）及正面再布線金屬結構開口（501）；

所述包封體（40）的下表面覆蓋背面再布線金屬結構（80），所述金屬柱（412）將感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30）的正面的電信號引導至整個封裝結構的背面，經背面再布線金屬結構（80）輸出。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述感知芯片（10）、控制芯片（20）、被動元件（30）、包封體（40）、通孔連接件（41）的上表面均與包封體（40）的上表面齊平。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述正面再布線金屬結構（50）包括至少一層絕緣介電層和至少一層正面再布線金屬圖形層，絕緣介電層和正面再布線金屬圖形層交叉層層交錯設置，可以形成兩層或兩層以上的多層再布線金屬圖形層，再布線金屬圖形層彼此之間存在選擇性電性連接，介電材料包裹再布線金屬圖形層和/或填充于相鄰的再布線金屬圖形層之間形成絕緣介電層。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述背面再布線金屬結構（80）包括至少一層絕緣介電層和至少一層正面再布線金屬圖形層，絕緣介電層和正面再布線金屬圖形層交叉層層交錯設置，可以形成兩層或兩層以上的多層再布線金屬圖形層，再布線金屬圖形層彼此之間存在選擇性電性連接，介電材料包裹再布線金屬圖形層和/或填充于相鄰的再布線金屬圖形層之間形成絕緣介電層。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述背面再布線金屬結構（80）設置若干個背面再布線金屬結構開口（801），其內設置金屬電極（90）。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述金屬電極（90）由內而外依次包括鎳層、金層，或者由內而外依次包括鎳層、鈀層、金層。

7.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述通孔連接件（41）的上表面與包封體（40）的上表面齊平，其下表面與包封體（40）的下表面齊平。

8.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述功能膜（70）為耐磨膜、防霧化膜、防靜電膜、濾光膜、偏振膜中的一種或幾種組合。

9.根據權利要求8所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述功能膜（70）的最外層為耐磨膜或防霧化膜或防靜電膜。