[實用新型]延長MOS管使用壽命的保護電路結構

有效

• 申請號: 201822165266.8
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN209088539U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 曹騫;王坤;袁德方
• 申請（專利權）人: 上海市共進通信技術有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

本實用新型涉及一種延長MOS管使用壽命的保護電路結構，包括RC保護電路，一端與MOS管的漏極相連接，另一端與MOS管的源極相連接；MOS管的柵極與控制管腳相連接；MOS管的漏極正向偏置；MOS管的源極反向偏置。采用了本實用新型的延長MOS管使用壽命的保護電路結構，改善了常用的MOS管保護器件在電路斷電后，由于反向瞬態感應電動勢的存在對MOS管的破壞作用，基于阻容放電特性，在MOS管兩端加阻容保護電路，使瞬態感應電動勢破壞作用消失，成本低，操作簡便，適用范圍較為廣泛。

技術領域

本實用新型涉及MOS管領域，尤其涉及MOS管保護領域，具體是指一種延長MOS管使用壽命的保護電路結構。

背景技術

MOS管具有耐電壓高，低導通阻抗的特性(導通阻抗20mΩ)，當斷電后，電路中存在反向瞬態感應電動勢，此電動勢造成MOS管被破壞，延緩MOS管使用壽命，本實用新型基于阻容放電特性，在MOS管兩端加阻容保護電路，使瞬態感應電動勢破壞作用消失。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服了上述現有技術的缺點，提供了一種成本低、操作簡便、適用范圍較為廣泛的延長MOS管使用壽命的保護電路結構。

為了實現上述目的，本實用新型的延長MOS管使用壽命的保護電路結構如下：

該延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其主要特點是，所述的電路結構包括RC保護電路，一端與MOS管的漏極相連接，另一端與MOS管的源極相連接；MOS管的柵極與控制管腳相連接；MOS管的漏極正向偏置；MOS管的源極反向偏置。

較佳地，所述的RC保護電路包括電阻和電容，所述的電阻和電容串聯跨接于所述的MOS管的漏極與源極之間。

較佳地，所述的電阻的電阻值可以為KΩ級。

較佳地，所述的電容的電容值可以為pF級。

采用了本實用新型的延長MOS管使用壽命的保護電路結構，改善了常用的MOS管保護器件在電路斷電后，由于反向瞬態感應電動勢的存在對MOS管的破壞作用，基于阻容放電特性，在MOS管兩端加阻容保護電路，使瞬態感應電動勢破壞作用消失，成本低，操作簡便，適用范圍較為廣泛。

附圖說明

圖1為本實用新型的延長MOS管使用壽命的保護電路結構的電路結構圖。

具體實施方式

為了能夠更清楚地描述本實用新型的技術內容，下面結合具體實施例來進行進一步的描述。

該延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其中，所述的系統包括RC保護電路，一端與MOS管的漏極(D極)相連接，另一端與MOS管的源極(S極)相連接；MOS管的柵極(G極)與控制管腳相連接；該MOS管的漏極正向偏置；MOS管的源極反向偏置。

作為本實用新型的優選實施方式，所述的RC保護電路包括電阻R和電容C，所述的電阻R和電容C串聯跨接于所述的MOS管的漏極與源極之間。

作為本實用新型的優選實施方式，所述的電阻R的電阻值可以為KΩ級，也可以根據需要選擇其它合適的阻值。

作為本實用新型的優選實施方式，其中，所述的電容C的電容值可以為pF級，也可以根據需要選擇其它合適的阻值。

本實用新型的具體實施方式中，如圖1所示，MOS管保護電路，柵極接控制管腳，漏極正向偏置，源極反向偏置，電路斷電瞬間由于感應電動勢的存在。源極會正偏，漏極反向偏置，此時MOS管器件會被破壞，減少MOS管使用壽命.本實用新型在電路漏極，源極之間加RC保護電路，可以起到保護電路，減小反向瞬態感應電動勢對MOS管的破壞作用。

如圖1，斷電后反向感應電動勢通過電阻R對電容C充電，充電作用的存在抵消了反向電動勢對MOS管的破壞作用。