[實用新型]延長MOS管使用壽命的保護電路結構有效
| 申請號： | 201822165266.8 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN209088539U | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 曹騫;王坤;袁德方 | 申請（專利權）人： | 上海市共進通信技術有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔;鄭暄 |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路結構 使用壽命 本實用新型 感應電動勢 漏極 瞬態 源極 電路 阻容保護電路 保護器件 反向偏置 控制管腳 正向偏置 阻容放電 斷電 | ||
【權利要求書】：
1.一種延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其特征在于，所述的電路結構包括RC保護電路，一端與MOS管的漏極相連接，另一端與MOS管的源極相連接；MOS管的柵極與控制管腳相連接；MOS管的漏極正向偏置；MOS管的源極反向偏置。
2.根據權利要求1所述的延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其特征在于，所述的RC保護電路包括電阻(R)和電容(C)，所述的電阻(R)和電容(C)串聯跨接于所述的MOS管的漏極與源極之間。
3.根據權利要求2所述的延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其特征在于，所述的電阻(R)的電阻值為KΩ級。
4.根據權利要求2所述的延長MOS管使用壽命的保護電路結構，其特征在于，所述的電容(C)的電容值為pF級。
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