[實用新型]高功率密度低速大扭矩電機控制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822150872.2
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN209088857U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 張華;王順偉;李志闊;唐勇斌;揭軍
• 申請（專利權）人: 航天科工智能機器人有限責任公司
• 主分類號: H02P29/00
• 分類號: H02P29/00
• 代理公司: 北京鼎承知識產(chǎn)權代理有限公司 11551
• 代理人: 韓德凱;李偉波

1.一種高功率密度低速大扭矩電機控制器，其特征在于，包括：

控制電路板，輸出脈寬調(diào)制信號至隔離型功率驅動裝置；以及

隔離型功率驅動裝置，與所述控制電路板連接，基于所述脈寬調(diào)制信號驅動電機運轉；

其中，隔離型功率驅動裝置包括全橋MOSFET裝置和隔離驅動電路板；

所述隔離驅動電路板配置在全橋MOSFET裝置內(nèi)部；

所述隔離驅動電路板隔離放大所述脈寬調(diào)制信號，控制全橋MOSFET裝置的導通和關斷。

2.根據(jù)權利要求1所述的控制器，其特征在于，

所述隔離驅動電路板包括板載連接器；

所述隔離驅動電路板通過板載連接器與所述控制電路板進行信號傳遞。

3.根據(jù)權利要求2所述的控制器，其特征在于，

所述板載連接器的母端位于所述隔離驅動電路板上，所述板載連接器的公端位于所述控制電路板上。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的控制器，其特征在于，

所述隔離驅動電路板還包括隔離驅動芯片；

所述隔離驅動芯片的輸出端配置電容，所述電容用于消除所述全橋MOSFET裝置的米勒效應；

下橋臂隔離驅動芯片的輸出端配置穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管用于保護所述全橋MOSFET裝置。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的控制器，其特征在于，

所述控制電路板與全橋MOSFET裝置共用電源輸入與三相輸出接線端子。

6.根據(jù)權利要求5所述的控制器，其特征在于，

所述控制電路板包括信號采集調(diào)理裝置、主控裝置和電源轉換裝置；

所述電源轉換裝置將母線電壓轉換后為所述控制電路板和隔離型功率驅動裝置供電；

所述信號采集調(diào)理裝置采集并調(diào)理電機霍爾位置反饋信號、電機溫度信號和控制器溫度信號，將調(diào)理后的電機霍爾位置反饋信號、電機溫度信號和控制器溫度信號傳輸至所述主控裝置；

所述主控裝置基于調(diào)理后的電機霍爾位置反饋信號、電機溫度信號和控制器溫度信號控制電機的伺服系統(tǒng)，輸出脈寬調(diào)制信號至所述隔離型功率驅動裝置。

7.根據(jù)權利要求6所述的控制器，其特征在于，

所述電源轉換裝置將母線電壓轉換為驅動電源和控制電源；

所述驅動電源部分和控制電源部分通過隔離電源模塊實現(xiàn)隔離。

8.根據(jù)權利要求7所述的控制器，其特征在于，

所述驅動電源部分第一級通過第一隔離電源模塊將母線電壓40-60V轉換為15V，為所述全橋MOSFET裝置的3個下橋臂驅動芯片供電；

所述驅動電源部分第二級通過3個第二隔離電源模塊，分別將第一級輸出的15V電壓轉換成15V1、15V2和15V3，分別為所述全橋MOSFET裝置的3個上橋臂驅動芯片供電。

9.根據(jù)權利要求7所述的控制器，其特征在于，

所述控制電源部分通過第三隔離電源模塊將母線電壓40-60V轉換為5V。

10.根據(jù)權利要求7所述的控制器，其特征在于，

所述控制器母線電壓的輸入端配置多個儲能電解電容；

所述控制器母線電壓的輸入端并聯(lián)2個雙向瞬變電壓抑制管，用于吸收母線上的瞬態(tài)尖峰電壓。