[實用新型]一種用于改善電路溫漂特性的帶隙基準電路有效
| 申請號： | 201822146082.7 | 申請日： | 2018-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN209103180U | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 張弛;曹宏濤;余佳 | 申請（專利權）人： | 深圳貝特萊電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明蘭 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 寄生電阻 基區 溫漂 帶隙基準電路 運算放大器 源極 雙極型晶體管 本實用新型 電阻類型 改善電路 電阻 漏極 工藝波動 輸出電壓 應用需求 電源端 反相端 輸出端 同相端 減小 電路 | ||
1.一種用于改善電路溫漂特性的帶隙基準電路，其特征在于，包括有PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、運算放大器OP1、雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2和雙極型晶體管Q3，所述PMOS管M1的源極、PMOS管M2的源極和PMOS管M3的源極均連接于電源端VDD，所述PMOS管M1的漏極連接于所述運算放大器OP1的反相端，所述PMOS管M2的漏極連接于所述運算放大器OP1的同相端，所述運算放大器OP1的輸出端、PMOS管M1的柵極、PMOS管M2的柵極和PMOS管M3的柵極相互連接，所述PMOS管M1的漏極連接于所述雙極型晶體管Q1的發射極，所述雙極型晶體管Q1的基極通過基區寄生電阻rb1接地，所述雙極型晶體管Q1的集電極接地，所述PMOS管M2的漏極通過電阻R1連接于所述雙極型晶體管Q2的發射極，所述雙極型晶體管Q2的基極通過基區寄生電阻rb2接地，所述雙極型晶體管Q2的集電極接地，所述PMOS管M3的漏極通過電阻R2連接于所述雙極型晶體管Q3的發射極，所述雙極型晶體管Q3的基極通過基區寄生電阻rb3接地，所述雙極型晶體管Q3的集電極接地，所述電阻R1和電阻R2的電阻類型與所述基區寄生電阻rb1、基區寄生電阻rb2和基區寄生電阻rb3的類型相同。
2.如權利要求1所述的用于改善電路溫漂特性的帶隙基準電路，其特征在于，所述雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2和雙極型晶體管Q3均為PNP管。
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