[實用新型]化學氣相沉積用隔離室

有效

• 申請號: 201822142924.1
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209397264U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 范繼良
• 申請（專利權）人: 黃劍鳴
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 張艷美;王志

本實用新型公開了一種化學氣相沉積用隔離室，設置在第一沉積室和第二沉積室之間，其包括中空結構的隔離腔體及輥軸組件，中空結構形成抽氣腔述隔離腔體延伸出與第一、二沉積室密封對接的第一、二通道，第一通道與第二通道正對設置，第一通道、抽氣腔及第二通道依次連通，隔離腔體上貫穿開設有用于與外界抽氣裝置連通的抽氣口，輥軸組件設置于抽氣腔內，輥軸組件包括呈上下相切設置的從動輥軸和主動輥軸，主動輥軸和從動輥軸外均具有呈柔性結構的硅膠層；本實用新型借由第一通道、隔離腔體、第二通道及輥軸組件有效的將第一沉積室和第二沉積室隔離開，并有效的阻擋了第一沉積室和第二沉積室之間氣體相互滲透和擴散。

技術領域

本實用新型涉及一種化學氣相沉積用裝置，尤其涉及一種可隔離氣體擴散的化學氣相沉積用隔離室。

背景技術

半導體加工過程中，需要進行化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)，是利用加熱等離子體激勵或光輻射等方法，使氣態或蒸汽狀態的化學物質發生反應并以原子態沉積在置于適當位置的基板上，從而形成所需要的固態薄膜或涂層的沉積層的過程。

化學氣相沉積是一種非常靈活、應用極為廣泛的工藝方法，可以用來制備各種涂層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導體材料的生產方面，化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法(如分子束外延、液相外延)無與倫比的優越性，即使在化學性質完全不同的襯底上，利用化學氣相沉積也能產生出晶格常數與襯底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能涂層。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。

高密度等離子體化學氣相沉積設備，是在腔體內的高溫環境下，通過特定的工藝氣體在等離子體增強條件下，在基板的表面進行化學氣相沉積進而形成薄膜的設備。化學氣相沉積設備對基板進行化學氣相沉積的場所在沉積室，氣體在沉積室中發生電離進而沉積在基板上形成沉積層，現有的基板在各沉積室之間傳輸時往往之間是暴露在外進行的，或者各沉積室之間相互緊鄰設置；

上述暴露在外進行傳輸或者沉積室緊鄰設置的方案，都會造成不同的沉積室中氣體相互滲透擴散，從而造成不良的化學反應，使得沉積效果變差，如遇不同沉積室之間氣體化學反應較為劇烈的，將嚴重影響沉積的效果，甚至產品因此而報廢。

因此，亟需一種能將不同沉積室隔離開并有效阻擋不同沉積室中氣體相互滲透擴散的隔離室。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種能將不同沉積室隔離開并有效阻擋不同沉積室中氣體相互滲透擴散的隔離室。

為了實現上有目的，本實用新型提供了一種化學氣相沉積用隔離室，適用于設置在第一沉積室和第二沉積室之間，其包括呈中空結構的隔離腔體及輥軸組件，所述中空結構形成抽氣腔，所述隔離腔體一側延伸出與所述第一沉積室密封對接的第一通道，所述隔離腔體的另一側延伸出與所述第二沉積室密封對接的第二通道，所述第一通道與所述第二通道正對設置，所述第一通道、抽氣腔及第二通道依次連通，所述隔離腔體上貫穿開設有用于與外界抽氣裝置連通的抽氣口，所述輥軸組件設置于所述抽氣腔內，所述輥軸組件包括呈上下相切設置的從動輥軸和主動輥軸，所述主動輥軸連接一驅動其轉動的輥軸驅動機構，所述主動輥軸和所述從動輥軸外均具有呈柔性結構的硅膠層，所述主動輥軸與所述從動輥軸相切處正對所述第一通道和所述第二通道。

較佳地，本實用新型的化學氣相沉積用隔離室的主動輥軸和所述從動輥軸的硅膠層的側壁與所述隔離腔體的內側壁相接觸，所述從動輥軸的硅膠層的頂壁與所述隔離腔體的內頂壁之間具有間隙。

較佳地，本實用新型的化學氣相沉積用隔離室的抽氣口設置于所述隔離腔體的頂部。