[實用新型]一種具有復合溝槽結構的碳化硅肖特基器件

有效

• 申請號: 201822141424.6
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN209981225U
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 關世瑛;王金秋
• 申請（專利權）人: 上海芯石半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有復合溝槽結構的碳化硅肖特基器件，其特征在于結構包括：在重摻雜的碳化硅層N+上有一層低摻雜濃度的碳化硅外延層N-,N-外延層上有刻有溝槽，所有溝槽內的頂角、溝槽底及底角區域有通過注入摻雜形成的P型區，在溝槽頂角處形成頂角P型區（6），具有保護肖特基勢壘結邊緣效應作用，在溝槽底角與溝槽側壁相接處形成第一個底角P型區（61）、在溝槽底部形成第二個底角P型區（62），第一個底角P型區（61）與第二個底角P型區（62）形成錯位疊加結構，可通過多次側壁絕緣層的錯位保護層刻蝕，經過注入摻雜，形成多個底角錯位疊加的復合底角P型區；所有溝槽側壁有第一類薄絕緣層（81），器件無厚絕緣層保護的中間區域為源區，源區內的溝槽側壁只有第一類薄絕緣層（81）形成保護柵板，而源區外的溝槽側壁在第一類薄絕緣層（81）外還有一層與第一類絕緣層為異質的絕緣層（83）和與第一類絕緣層為同質的絕緣層（82）保護，源區外的溝槽之間的外延層N-表面上有與第一類絕緣層為同質的厚的絕緣層（8）保護；源區內無絕緣層保護的溝槽之間外延層N-表面、源區內P型區與肖特基勢壘金屬通過高溫合金形成合金層，因P型區表面有高濃度的雜質摻雜，形成歐姆接觸層（71），而外延層N-表面的摻雜濃度低，形成肖特基勢壘層（7）；器件上表面淀積金屬層，通過光刻、金屬腐蝕形成正面金屬圖形，與源區相連的金屬區形成器件的陽極金屬電極（9），邊緣的金屬區（91）與陽極金屬電極（9）不相連，分別形成器件的金屬場板；器件的底部金屬層形成器件的陰極金屬電極（10）。

2.如權利要求1所述一種具有復合溝槽結構的碳化硅肖特基器件，其特征在于：具有復合結構的溝槽，溝槽的頂部有P型摻雜區，溝槽側壁有絕緣層區，溝槽底部有P型摻雜區，溝槽底部P型摻雜區是由2個或多個摻雜的錯位疊加刻蝕的溝槽底角構成。