[實用新型]一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置

有效

• 申請號: 201822133785.6
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209926855U
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 陳書生;劉瑞生;田茂標;楊海蓉;游炯;周偉;曾潔;鄧小燕;胡杰;龔俊紅
• 申請（專利權）人: 成都萬士達瓷業有限公司
• 主分類號: F27B17/00
• 分類號: F27B17/00;H01L35/34
• 代理公司: 51211 成都天嘉專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 蘇丹;鄭發志

本實用新型公開了一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于包括：高溫氮氣爐管、爐管支撐件、保溫層，所述高溫氮氣爐內設置有多個爐管支撐件，所述高溫氮氣爐內設置有兩根高溫氮氣爐管，所述爐管支撐件與高溫氮氣爐管相接觸，所述爐管支撐件設置在保溫層上。

技術領域

本實用新型屬于DBC半導體熱電基片生產技術領域，具體涉及一種防止燒結DBC半導體熱電基片氮氣爐爐管變形的裝置。

背景技術

隨著功率電子器件的發展，電路板集成度與工作頻率不斷提高，散熱問題已成為功率電子器件發展中必須要解決的關鍵問題。陶瓷基片是大功率電子器件、集成電路基片的封裝材料，是功率電子、電子封裝與多芯片模塊等技術中的關鍵配套材料，其性能決定著模塊的散熱效率和可靠性。

DBC半導體熱電基片是用DBC技術將銅片直接燒結到Al₂O₃或AlN陶瓷表面制成的一種復合覆銅陶瓷板，具有高導熱性、高的電絕緣性、電流容量大、機械強度高、與硅芯片相匹配的溫度特性等特點。Al₂O₃陶瓷片制作過程時，需要將陶瓷片基體沖壓成單個陶瓷片坯片，并且將陶瓷片坯片兩面的雜質去除掉，然后將陶瓷片坯體放置于推板爐中燒制，在燒結DBC半導體基板氮氣爐中，爐管很容易變形，使得生產停止，這樣很浪費生產效率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種防止燒結DBC半導體熱電基片氮氣爐爐管變形的裝置。

本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的：

一種防止燒結DBC半導體熱電基片氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于包括：高溫氮氣爐管、爐管支撐件、保溫層，所述高溫氮氣爐內設置有多個爐管支撐件，所述高溫氮氣爐內設置有兩根高溫氮氣爐管，所述爐管支撐件與高溫氮氣爐管相接觸，所述爐管支撐件設置在保溫層上。

所述保溫層為剛玉莫來石層。

所述高溫氮氣爐內至少設置有10個爐管支撐件。

所述每根高溫氮氣爐管至少與10個爐管支撐件相連接。

所述爐管支撐件的間距為10-20厘米。

所述兩根高溫氮氣爐管之間的間距至少為30-50厘米。

本技術方案的有益效果如下：

1.本實用新型在燒結DBC半導體基板氮氣爐中，爐管不會變形，能夠保證生產效率。

附圖說明

本實用新型的前述和下文具體描述在結合以下附圖閱讀時變得更清楚，附圖中：

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的側視圖；

圖中：

1、高溫氮氣爐管，2、爐管支撐件，3、保溫層。

具體實施方式

下面通過幾個具體的實施例來進一步說明實現本實用新型目的技術方案，需要說明的是，本實用新型要求保護的技術方案包括但不限于以下實施例。

實施例1

一種防止燒結DBC半導體熱電基片氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于包括：高溫氮氣爐管1、爐管支撐件2、保溫層3，所述高溫氮氣爐內設置有多個爐管支撐件2，所述高溫氮氣爐內設置有兩根高溫氮氣爐管1，所述爐管支撐件2與高溫氮氣爐管1相接觸，所述爐管支撐件2設置在保溫層3上。

實施例2