[實用新型]一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置

有效

• 申請號: 201822133785.6
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209926855U
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 陳書生;劉瑞生;田茂標;楊海蓉;游炯;周偉;曾潔;鄧小燕;胡杰;龔俊紅
• 申請（專利權）人: 成都萬士達瓷業有限公司
• 主分類號: F27B17/00
• 分類號: F27B17/00;H01L35/34
• 代理公司: 51211 成都天嘉專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 蘇丹;鄭發志

1.一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于包括：高溫氮氣爐管（1）、爐管支撐件（2）、保溫層（3），所述高溫氮氣爐內設置有多個爐管支撐件（2），所述高溫氮氣爐內設置有兩根高溫氮氣爐管（1），所述爐管支撐件（2）與高溫氮氣爐管（1）相接觸，所述爐管支撐件（2）設置在保溫層（3）上。

2.根據權利要求1所述一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于：所述保溫層（3）為剛玉莫來石層。

3.根據權利要求1所述一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于：所述高溫氮氣爐內至少設置有10個爐管支撐件（2）。

4.根據權利要求1所述一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于：所述每根高溫氮氣爐管（1）至少與10個爐管支撐件（2）相連接。

5.根據權利要求1所述一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于：所述爐管支撐件（2）的間距為10-20厘米。

6.根據權利要求1所述一種防止燒結DBC半導體基板氮氣爐爐管變形的裝置，其特征在于：所述兩根高溫氮氣爐管（1）之間的間距至少為30-50厘米。