[實用新型]一種芯片

有效

• 申請號: 201822130620.3
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209657083U
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 王安梅
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 44545 深圳眾邦專利代理有限公司
• 代理人: 譚麗莎<國際申請>=<國際公布>=<進入

本實用新型公開了一種芯片，包括芯片體，設有金屬層、形成在所述芯片主體上，并且包括電連接到所述芯片體的金屬互連區域、光捕獲區域、與所述光捕獲區域相鄰且能夠反射光的光反射區域；所述光捕獲區域具有多個金屬部件，相鄰的所述金屬部件被間隙分開，每個所述間隙都配置的寬度，該寬度為使得光照射所述光捕獲區域將通過所述間隙并延伸至所述芯片主體中，從而在所述光捕獲區域和光反射區域之間形成亮度對比。

技術領域

本實用新型屬于芯片領域，尤其涉及到具有用于位置對準的光捕獲區域和光反射區域的一種芯片。

背景技術

使用半導體芯片的工藝制成的芯片，導體集成電路具有用于隨后工藝的位置對準區域，可以防止由于未對準同樣也不導致的良好的良率。

參照圖1和圖2，常規芯片1包括芯片主體11，形成在芯片主體11上的金屬層12以及形成在金屬層12上的保護層13；芯片主體11包括多個預定金屬互連電路和集成電子元件；由于電路和電子元件的結構在本領域中是眾所周知的，所以省略其詳細描述，為了簡潔起見，在此僅作介紹。

金屬層12包括金屬互連區域12I和位置對準區域122.金屬互連區域121與芯片體11配合以形成完整的互連結構。在隨后的包裝老化和引線鍵合過程，芯片1的操作可以由外部電路控制。位置對齊薄膜區域122是完整的金屬區域并且與保護層13共同形成位置對準圖案。

保護層13被配置為具有通孔、以部分暴露位置對準區域122，保護層13形成在金屬層上；然后通孔131形成在對應于位置關系的位置上，通過使用掩模的光刻工藝來對準對準區域122。

因為保護層13和從保護層13暴露的位置對準區域122不同。

當光被照射到其上時，在保護層13和位置對準區122之間形成亮度對比。為了形成用于位置對準的亮度對比度，在金屬層12完全形成之后，用于形成并圖案化有形層1.3的工藝是更加迫切的。因此，形成傳統芯片的成本相對較高。

此外，保護層13由氮化鈦制成（錫）。并且金屬層12由銅，鋁等制成。保護層之間的亮度對比度13和金屬層12約為45（見圖9）。盡管45的亮度對比度比較合適，但是仍然很低，需要進一步改進。

因此，本實用新型的目的是提供一種能夠克服與現有技術相關的上述缺點的芯片。

實用新型內容

本實用新型提供一種芯片,解決的上述問題。

為解決上述問題，本實用新型提供的技術方案如下：一種芯片，包括芯片體，設有金屬層、形成在所述芯片主體上，并且包括電連接到所述芯片體的金屬互連區域、光捕獲區域、與所述光捕獲區域相鄰且能夠反射光的光反射區域；所述光捕獲區域具有多個金屬部件，相鄰的所述金屬部件被間隙分開，每個所述間隙都配置的寬度，該寬度為使得光照射所述光捕獲區域將通過所述間隙并延伸至所述芯片主體中，從而在所述光捕獲區域和光反射區域之間形成亮度對比。

優選的，其中所述間隙中的每一個的寬度在0.1μm至100μm的范圍內。

優選的，其中所述光捕獲區域被所述光反射區域包圍。

優選的，還包括多個間隔開的直立柱，每一個所述直立柱的一端與相應的一個所述金屬構件連接，每一個所述直立柱的另一端與相應一個所述芯片主體連接。

優選的，每一個所述金屬構件中具有與所述芯片主體相對的凹入的上表面。

優選的，每個所述金屬構件具有矩形形狀的上表面并且與所述芯片體相對設置，每個所述金屬構件的外周每一側的長度不大于100μm 。

優選的，每個所述金屬構件具有通孔和限定所述通孔的內周邊，所述通孔的中心與所述內周邊之間的距離為0.05μm至25μm。

優選的，每個所述金屬構件的所述外圍和內圍之間的距離不大于50μm。