[實用新型]一種射頻前端電路

有效

• 申請號: 201822127695.6
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN209105172U
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 熊正東
• 申請（專利權）人: 珠海泰芯半導體有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H04B1/401
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務所 44291
• 代理人: 閆有幸

1.一種射頻前端電路，包括低噪聲放大器、I路混頻器、Q路混頻器以及級聯電路；所述低噪聲放大器用于將單端信號轉換成差分信號并放大；所述級聯電路接收所述低噪聲放大器輸出差分信號，輸出差分信號給所述I路混頻器以及Q路混頻器；所述I路混頻器以及Q路混頻器用于將差分信號進行混頻后輸出，其特征在于：所述級聯電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管以及第九NMOS管；所述第七NMOS管的柵極與所述第八NMOS管的柵極接收差分信號；所述第七NMOS管的源極以及所述第八NMOS管的源極與所述第九NMOS管的漏極連接，所述第九NMOS管的源極接地；所述第七NMOS管的漏極以及所述第八NMOS管的漏極分別與所述第三PMOS管的漏極以及所述第四PMOS管的漏極連接，所述第三PMOS管的源極以及所述第四PMOS管的源極接電源；所述第三PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的漏極輸出差分信號。

2.根據權利要求1所述的射頻前端電路，其特征在于：所述級聯電路還包括第三電阻、第四電阻、第五電阻以及第六電阻；所述第三電阻的一端以及所述第五電阻的一端與所述低噪聲放大器的兩個輸出端連接；所述第三電阻的另一端以及所述第五電阻的另一端分別與所述第四電阻的一端以及所述第六電阻的一端連接；所述第四電阻的另一端以及所述第六電阻的另一端分別與所述第七NMOS管的漏極以及所述第八NMOS管的漏極連接。

3.根據權利要求2所述的射頻前端電路，其特征在于：所述級聯電路還包括第三開關以及第四開關；所述第三開關與所述第三電阻并聯連接；所述第四開關與所述第五電阻并聯；所述第四電阻與所述第六電阻均為電阻值可調的電阻。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的射頻前端電路，其特征在于：所述級聯電路還包括第六電容與第七電容；所述第六電容的一端以及所述第七電容的一端與分別與所述第三PMOS管的漏極以及所述第四PMOS管的漏極連接，接收所述第三PMOS管的漏極以及所述第四PMOS管輸出的差分信號。

5.根據權利要求4所述的射頻前端電路，其特征在于：所述級聯電路還包括第七電阻、第八電阻、第九電阻以及第十電阻；所述第七電阻的一端以及所述第十電阻的一端與所述第六電容的另一端連接，所述第八電阻與所述第九電阻的一端與所述第七電容的另一端連接；所述第七電阻的另一端以及所述第八電阻另一端與所述I路混頻器的兩個輸入端連接，所述第九電阻的另一端以及所述第十電阻的另一端與所述Q路混頻器的兩個輸入端連接。

6.根據權利要求5所述的射頻前端電路，其特征在于：還包括I路跨阻放大器以及Q路跨阻放大器；所述I路跨阻放大器接收所述I路混頻器輸出的電流差分信號，將該電流差分信號轉換成電壓差分信號；所述Q路跨阻放大器接收所述Q路混頻器輸出的電流差分信號，將該電流差分信號轉換成電壓差分信號。

7.根據權利要求6所述的射頻前端電路，其特征在于：所述I路跨阻放大器包括第八電容、第九電容、第十一電阻、第十二電阻以及I路運算放大器，所述I路混頻器的一個輸出端與所述第八電容的一端、第十一電阻的一端以及I路運算放大器的一個輸入端連接，所述第八電容的另一端以及所述第十一電阻的另一端與所述I路運算放大器的一個輸出端連接，所述I路混頻器的另一個輸出端與所述第九電容的一端、第十二電阻的一端以及I路運算放大器的另一個輸入端連接，所述第九電容的另一端以及所述第十二電阻的另一端與所述I路運算放大器的另一個輸出端連接，所述I路運算放大器為全差分運算放大器，

和/或，所述Q路跨阻放大器包括第十電容、第十一電容、第十三電阻、第十四電阻以及Q路運算放大器，所述Q路混頻器的一個輸出端與所述第十電容的一端、第十三電阻的一端以及Q路運算放大器的一個輸入端連接，所述第十電容的另一端以及所述第十三電阻的另一端與所述Q路運算放大器的一個輸出端連接，所述Q路混頻器的另一個輸出端與所述第十一電容的一端、第十四電阻的一端以及Q路運算放大器的另一個輸入端連接，所述第十一電容的另一端以及所述第十四電阻的另一端與所述Q路運算放大器的另一個輸出端連接，所述Q路運算放大器為全差分運算放大器。