[實用新型]一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構

有效

• 申請號: 201822101368.3
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN210042356U
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 黃剛;吳均
• 申請（專利權）人: 深圳市一博科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 44276 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 張朝陽;袁浩華

本實用新型公開了一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，包括主芯片控制器、走線、若干顆粒負載，主芯片控制器通過走線分別與若干顆粒負載連接，走線包括走線阻抗R0，走線上還設置有端接電阻R,且端接電阻R的阻值小于走線阻抗R0的阻值。本實用新型通過在不同數量顆粒負載的情況下采用不同的端接電阻，對目前高速率多負載的DDR模塊的信號質量有明顯的優化，能夠提高第一個顆粒負載的信號質量，本實用新型設置端接電阻小于走線阻抗，結構簡單，成本低，具有非常好的通用性。

技術領域

本實用新型涉及電路板技術領域，具體的說，是涉及一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構。

背景技術

印制電路板（Printed Circuit Board，PCB板）又稱印刷電路板、印刷線路板，是電子產品的物理支撐以及信號傳輸的重要組成部分。PCB板中的走線起到連接不同芯片引腳的作用。在應用比較廣泛的DDR（Double Data Rate）顆粒設計中，我們常見的是有兩種不同的拓撲，菊花鏈拓撲（也稱為fly-by拓撲）和等臂分支拓撲。

其中fly-by拓撲對于高速率（例如DDR4）、多顆粒負載的情況下非常有優勢。例如主芯片控制器帶5個顆粒負載的fly-by拓撲，這種fly-by的拓撲通常都需要使用端接電阻R去接到VTT的電壓（VTT電壓為DDR顆粒供電電壓的一半），這樣可以緩解該拓撲的反射，提高信號質量。

在速率比較高，而且顆粒比較多的情況下，采用這種fly-by拓撲的信號質量也會隨之變差，尤其是最靠近控制器的第一個顆粒會是所有顆粒中最差的，因為它收到了后面顆粒的來回反射導致的。在速率變高，顆粒數量變多的情況下，第一個顆粒的信號質量越來越難保證。

如何能夠在原有拓撲不增加任何器件和設計難度以及加工成本的情況下，提高第一個顆粒的信號質量成為在目前高速率多負載DDR模塊設計中繼續解決的問題。

上述缺陷，值得改進。

發明內容

為了克服現有的技術的不足，本實用新型提供一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構。

本實用新型技術方案如下所述：

一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，包括主芯片控制器、走線、若干顆粒負載，所述主芯片控制器通過所述走線分別與若干所述顆粒負載連接，所述走線包括走線阻抗R0，所述走線上還設置有端接電阻R,且所述端接電阻R的阻值小于所述走線阻抗R0的阻值。

進一步的，所述顆粒負載的數量為N時，所述端接電阻R的阻值為：R=R0-(N-1)*2。

進一步的，所述顆粒負載的數量為5，所述端接電阻R的阻值比所述走線阻抗R0的阻值小8歐姆。

進一步的，所述走線阻抗R0的阻值為50歐姆，所述端接電阻R的阻值為42歐姆。

進一步的，所述顆粒負載的數量為9，所述端接電阻R的阻值比所述走線阻抗R0的阻值小16歐姆。

進一步的，所述走線阻抗R0的阻值為50歐姆，所述端接電阻R的阻值為34歐姆。

根據上述方案的本實用新型，其有益效果在于，本實用新型通過在不同數量顆粒負載的情況下采用不同的端接電阻，對目前高速率多負載的DDR模塊的信號質量有明顯的優化，能夠提高第一個顆粒負載的信號質量，本實用新型設置端接電阻小于走線阻抗，結構簡單，成本低，具有非常好的通用性。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為本實用新型某一具體實施例的仿真驗證結果比較示意圖。

圖3為本實用新型另一具體實施例的仿真驗證結果比較示意圖。