[實用新型]一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構

有效

• 申請號: 201822101368.3
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN210042356U
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 黃剛;吳均
• 申請（專利權）人: 深圳市一博科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 44276 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 張朝陽;袁浩華

1.一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，包括主芯片控制器、走線、若干顆粒負載，其特征在于，所述主芯片控制器通過所述走線分別與若干所述顆粒負載連接，所述走線包括走線阻抗R₀，所述走線上還設置有端接電阻R,且所述端接電阻R的阻值小于所述走線阻抗R₀的阻值。

2.根據權利要求1所述的一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述顆粒負載的數量為N時，所述端接電阻R的阻值為：R＝R₀-(N-1)*2。

3.根據權利要求2所述的一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述顆粒負載的數量為5，所述端接電阻R的阻值比所述走線阻抗R₀的阻值小8歐姆。

4.根據權利要求3所述的一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述走線阻抗R₀的阻值為50歐姆，所述端接電阻R的阻值為42歐姆。

5.根據權利要求2所述的一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述顆粒負載的數量為9，所述端接電阻R的阻值比所述走線阻抗R₀的阻值小16歐姆。

6.根據權利要求5所述的一種優化菊花鏈拓撲的DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述走線阻抗R₀的阻值為50歐姆，所述端接電阻R的阻值為34歐姆。