[實用新型]一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構

有效

• 申請號: 201822099531.7
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN209982807U
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 黃剛;吳均
• 申請（專利權）人: 深圳市一博科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 44276 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 張朝陽;袁浩華

本實用新型公開了一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，包括主干走線、分支走線以及端接走線，主干走線分別與分支走線以及端接走線連接，主干走線包括主干阻抗，分支走線包括分支阻抗，端接走線包括端接阻抗以及端接電阻R，主干阻抗的阻值與分支阻抗的阻值以及端接電阻R的阻值均相等，且端接阻抗的阻值大于主干阻抗的阻值。本實用新型通過提高端接阻抗，能夠明顯優化T拓撲的信號質量，使得端接走線的線寬變窄，有利于減少DDR模塊的串擾和布線空間，本實用新型結構簡單，成本低。

技術領域

本實用新型涉及電路板技術領域，具體的說，是涉及一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構。

背景技術

印制電路板（Printed Circuit Board，PCB板）又稱印刷電路板，印刷線路板，是電子產品的物理支撐以及信號傳輸的重要組成部分，PCB板中的走線起到連接不同芯片引腳的作用。

在應用比較廣泛的DDR（Double Data Rate）顆粒中，我們常見的是有兩種不同的拓撲，菊花鏈拓撲和等臂分支拓撲，其中等臂分支拓撲也稱為T拓撲。在常見的一拖2（一個主芯片帶2個DDR顆粒）的拓撲里，我們經常使用T拓撲進行走線。

而為了提高信號質量，業界通常會使用一個電阻進行端接，T拓撲鏈路中包括主干走線、分支走線以及端接走線，現有技術是主干走線、分支走線以及端接走線的阻抗均按50歐姆控制，然后端接電阻R的阻值也是50歐姆，VTT為DDR供電電壓的一半，例如在DDR3里，供電電壓為1.5V，則VTT電壓為0.75V

由于受到控制器的驅動不同，設計和加工的等因素，有時候該拓撲的信號質量裕量不足，那么如何再不增加其他器件、設計或加工成本的情況下，優化該T拓撲的信號質量成為業界急需解決的問題。

上述缺陷，值得改進。

發明內容

為了克服現有的技術的不足，本實用新型提供一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構。

本實用新型技術方案如下所述：

一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，包括主干走線、分支走線以及端接走線，所述主干走線分別與所述分支走線以及所述端接走線連接，所述主干走線包括主干阻抗，所述分支走線包括分支阻抗，所述端接走線包括端接阻抗以及端接電阻R，所述主干阻抗的阻值與所述分支阻抗的阻值以及所述端接電阻R的阻值均相等，且所述端接阻抗的阻值大于所述主干阻抗的阻值。

進一步的，所述端接阻抗的阻值與所述主干阻抗的阻值的差值不小于5歐姆，且不大于15歐姆。

進一步的，所述端接阻抗的阻值比所述主干阻抗的阻值大10歐姆。

進一步的，所述主干阻抗、所述分支阻抗的阻值以及所述端接電阻R的阻值均為50歐姆，所述端接阻抗的阻值為60歐姆。

根據上述方案的本實用新型，其有益效果在于，本實用新型通過提高端接阻抗，能夠明顯優化T拓撲的信號質量，使得端接走線的線寬變窄，有利于減少DDR模塊的串擾和布線空間，本實用新型結構簡單，成本低。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖2為本實用新型仿真和測試結果比較示意圖。

在圖中，L1、主干阻抗；L2、分支阻抗；L3、端接阻抗。

具體實施方式

下面結合附圖以及實施方式對本實用新型進行進一步的描述：