[實(shí)用新型]一種高利用率多晶硅片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822097478.7
• 申請(qǐng)日: 2019-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN209561430U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢義龍;楊增輝;賈積凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青海水利水電集團(tuán)共和光伏發(fā)電有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/048
• 分類號(hào): H01L31/048;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實(shí)用新型公開了一種高利用率多晶硅片，包括硅片本體、橫向固定板和豎向固定板，所述硅片本體上表面設(shè)置有凹坑，所述硅片本體和卡槽之間設(shè)置有橡膠墊，所述豎向固定板一側(cè)設(shè)置有插管，所述插管插接在橫向固定板的插孔內(nèi)，所述豎向固定板上側(cè)設(shè)置有滑軌和導(dǎo)向桿，所述滑軌通過滑塊和清理輥兩端的轉(zhuǎn)軸連接，所述導(dǎo)向桿上端螺紋連接有螺帽，所述導(dǎo)向桿插入第二鋼化玻璃層上的圓孔內(nèi)，所述第二鋼化玻璃層和豎向固定板之間設(shè)置有彈性件，所述P型硅片一側(cè)設(shè)置有第一電極，所述N型硅片一側(cè)設(shè)置有第二電極。本實(shí)用新型通過凹坑橫截面呈橢圓狀，凹坑均勻設(shè)置在硅片本體上，能夠很好的進(jìn)行陷光，從而很好的提高了太陽光的利用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及多晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高利用率多晶硅片。

背景技術(shù)

多晶硅片能夠很好的利用太陽能進(jìn)行發(fā)電，綠色環(huán)保，因此被廣泛的使用，現(xiàn)有的多晶硅片只具有一層鋼化玻璃層，在遇到?jīng)_擊時(shí)，雖然起到緩沖和保護(hù)的作用，但是沖擊力依然會(huì)造成多晶硅片的損壞，無法很好的保護(hù)多晶硅片，而且現(xiàn)有的多晶硅片對(duì)太陽光的反射率較高，因此太陽光的利用率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種高利用率多晶硅片，旨在改善太陽光的利用率較低和無法很好的保護(hù)多晶硅片問題。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種高利用率多晶硅片，包括硅片本體、橫向固定板和豎向固定板，所述硅片本體上表面設(shè)置有凹坑，所述硅片本體四周卡接在橫向固定板和豎向固定板上的卡槽內(nèi)，所述硅片本體和卡槽之間設(shè)置有橡膠墊，所述橡膠墊粘接在卡槽內(nèi)壁上，所述豎向固定板一側(cè)設(shè)置有插管，所述插管插接在橫向固定板的插孔內(nèi)，所述橫向固定板和豎向固定板之間通過連接螺栓連接，所述豎向固定板上側(cè)設(shè)置有滑軌和導(dǎo)向桿，所述滑軌通過滑塊和清理輥兩端的轉(zhuǎn)軸連接，所述導(dǎo)向桿上端螺紋連接有螺帽，所述導(dǎo)向桿插入第二鋼化玻璃層上的圓孔內(nèi)，所述第二鋼化玻璃層和豎向固定板之間設(shè)置有彈性件，所述硅片本體包括第一鋼化玻璃層、P型硅片、N型硅片和聚氟乙烯復(fù)合膜，所述P型硅片一側(cè)設(shè)置有第一電極，所述N型硅片一側(cè)設(shè)置有第二電極，所述第一電極和第二電極穿出豎向固定板上的通孔，所述通孔內(nèi)壁設(shè)置有絕緣圈。

進(jìn)一步的，所述凹坑橫截面呈橢圓狀，所述凹坑均勻設(shè)置在硅片本體上。

進(jìn)一步的，所述彈性件為彈簧，所述彈性件套接在導(dǎo)向桿上。

進(jìn)一步的，所述絕緣圈為橡膠絕緣圈，所述絕緣圈粘接在通孔內(nèi)壁上。

進(jìn)一步的，所述清理輥下側(cè)緊貼硅片本體上側(cè)，所述清理輥長(zhǎng)度和硅片本體長(zhǎng)度相同。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

(1)、本實(shí)用新型通過凹坑橫截面呈橢圓狀，凹坑均勻設(shè)置在硅片本體上，能夠很好的進(jìn)行陷光，從而很好的提高了太陽光的利用率。

(2)、通過彈性件為彈簧，彈性件套接在導(dǎo)向桿上，彈性件和第二鋼化玻璃層配合，很好的保護(hù)了硅片本體。

(3)、通過絕緣圈為橡膠絕緣圈，絕緣圈粘接在通孔內(nèi)壁上，能夠很好的避免出現(xiàn)第一電極和第二電極使得橫向固定板和豎向固定板導(dǎo)電的狀況。

(4)、通過清理輥下側(cè)緊貼硅片本體上側(cè)，清理輥長(zhǎng)度和硅片本體長(zhǎng)度相同，方便對(duì)硅片本體表面進(jìn)行清理。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施方式的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的一種高利用率多晶硅片主視圖；

圖2是圖1所示的一種高利用率多晶硅片的硅片本體結(jié)構(gòu)示意圖；