[實用新型]一種高利用率多晶硅片

有效

• 申請號: 201822097478.7
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN209561430U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 錢義龍;楊增輝;賈積凱
• 申請（專利權）人: 青海水利水電集團共和光伏發電有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高利用率多晶硅片，包括硅片本體(2)、橫向固定板(11)和豎向固定板(1)，其特征在于：所述硅片本體(2)上表面設置有凹坑(3)，所述硅片本體(2)四周卡接在橫向固定板(11)和豎向固定板(1)上的卡槽(13)內，所述硅片本體(2)和卡槽(13)之間設置有橡膠墊(14)，所述橡膠墊(14)粘接在卡槽(13)內壁上，所述豎向固定板(1)一側設置有插管(12)，所述插管(12)插接在橫向固定板(11)的插孔內，所述橫向固定板(11)和豎向固定板(1)之間通過連接螺栓連接，所述豎向固定板(1)上側設置有滑軌(8)和導向桿(4)，所述滑軌(8)通過滑塊(9)和清理輥(10)兩端的轉軸連接，所述導向桿(4)上端螺紋連接有螺帽，所述導向桿(4)插入第二鋼化玻璃層(22)上的圓孔內，所述第二鋼化玻璃層(22)和豎向固定板(1)之間設置有彈性件(5)，所述硅片本體(2)包括第一鋼化玻璃層(20)、P型硅片(19)、N型硅片(18)和聚氟乙烯復合膜(17)，所述P型硅片(19)一側設置有第一電極(6)，所述N型硅片(18)一側設置有第二電極(7)，所述第一電極(6)和第二電極(7)穿出豎向固定板(1)上的通孔(15)，所述通孔(15)內壁設置有絕緣圈(16)。

2.根據權利要求1所述的一種高利用率多晶硅片，其特征在于，所述凹坑(3)橫截面呈橢圓狀，所述凹坑(3)均勻設置在硅片本體(2)上。

3.根據權利要求1所述的一種高利用率多晶硅片，其特征在于，所述彈性件(5)為彈簧，所述彈性件(5)套接在導向桿(4)上。

4.根據權利要求1所述的一種高利用率多晶硅片，其特征在于，所述絕緣圈(16)為橡膠絕緣圈，所述絕緣圈(16)粘接在通孔(15)內壁上。

5.根據權利要求1所述的一種高利用率多晶硅片，其特征在于，所述清理輥(10)下側緊貼硅片本體(2)上側，所述清理輥(10)長度和硅片本體(2)長度相同。