[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201822095095.6 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN209461419U | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發明(設計)人: | 毛利信彥;小原隆憲;瀧口靖史;小玉輝彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗體 基板處理裝置 面接觸 基板 清洗基板 移動機構 上表面 下表面 流體 面噴 清洗 本實用新型 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
保持部,其保持基板;
第一清洗體,其通過向被保持于所述保持部的所述基板的上表面和下表面中的一個面噴出流體或者與所述一個面接觸來清洗所述一個面;
第一移動機構,其使對所述一個面噴出所述流體或者與所述一個面接觸了的所述第一清洗體水平移動;
第二清洗體,其與被保持于所述保持部的所述基板的上表面和下表面中的另一個面接觸來清洗所述另一個面;
第二移動機構,其使與所述另一個面接觸了的所述第二清洗體同所述第一清洗體同步地水平移動。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一清洗體通過向所述一個面噴出所述流體來清洗所述一個面,
所述第一移動機構和所述第二移動機構構成為使所述第一清洗體和所述第二清洗體向所述第一清洗體與所述第二清洗體分離的方向水平移動。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述保持部具備:
可旋轉的第一保持部,其吸附保持所述基板的所述另一個面中的、包括中央部的第一區域;以及
第二保持部,其吸附保持所述基板的所述另一個面中的、作為除所述第一區域以外的區域的第二區域,
所述第二移動機構構成為,在由所述第二保持部吸附保持所述基板的狀態下,使所述第二清洗體與所述第一區域接觸并且在所述第一區域中水平移動,在由所述第一保持部吸附保持所述基板并且使所述基板旋轉的狀態下,使所述第二清洗體與所述第二區域接觸并與所述第一清洗體同步地水平移動。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一清洗體與所述基板的上表面接觸來清洗所述上表面,
所述第二清洗體與所述基板的下表面接觸來清洗所述下表面。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一移動機構和所述第二移動機構構成為,維持在從基板的厚度方向觀察被保持于所述保持部的所述基板的俯視時所述第一清洗體與所述上表面的接觸面同所述第二清洗體與所述下表面的接觸面重合的狀態,在維持該狀態的同時使所述第一清洗體和所述第二清洗體水平移動。
6.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,還具備:
第一驅動部,其使所述第一清洗體繞鉛垂軸旋轉;以及
第二驅動部,其使所述第二清洗體繞鉛垂軸旋轉,
所述第一移動機構和所述第二移動機構構成為,在基于所述第一驅動部的所述第一清洗體的旋轉中心與基于所述第二驅動部的所述第二清洗體的旋轉中心一致的狀態下,使所述第一清洗體和所述第二清洗體水平移動。
7.根據權利要求4至6中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一移動機構使所述第一清洗體能夠升降,
所述第二移動機構使所述第二清洗體能夠升降,
所述第一移動機構和所述第二移動機構構成為,至少一方使清洗體升降以使所述第一清洗體針對所述上表面的推壓力與所述第二清洗體針對所述下表面的推壓力為相同的大小。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備負荷檢測部,所述負荷檢測部檢測所述第一清洗體針對所述上表面的推壓力或所述第二清洗體針對所述下表面的推壓力,
所述第一移動機構和所述第二移動機構構成為,使所述第一清洗體和所述第二清洗體中的一方配置在預先決定的高度位置,使所述第一清洗體和所述第二清洗體中的另一方的高度位置與所述負荷檢測部的檢測結果相應地變化。
9.根據權利要求4至6中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述上表面和所述下表面中的一方為電路形成面,
所述第一清洗體和所述第二清洗體中的與所述電路形成面接觸的一方的清洗體與所述基板的接觸面比另一方清洗體與所述基板的接觸面大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





