[實用新型]一種防電源反接的電路及智能穿戴設備

有效

• 申請號: 201822085050.0
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN209184237U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 朱雙帥;趙立國;王星磊
• 申請（專利權）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02H11/00
• 代理公司: 青島聯智專利商標事務所有限公司 37101
• 代理人: 張翠紅

本實用新型涉及一種防電源反接的電路及智能穿戴設備，其中該電路用于電源芯片，且包括瞬態電壓抑制器、MOS管、第一電阻和第二電阻；瞬態電壓抑制器并聯在所述電源的兩端之間；MOS管的漏極和電源的一端均與瞬態電壓抑制器的一端相連，第一電阻的一端和第二電阻的一端均與MOS管的柵極相連，電源的另一端和第一電阻的另一端均與瞬態電壓抑制器的另一端相連，PMOS管的源極和電源芯片的供電端的一端均與第二電阻的另一端相連；第一電阻的另一端與供電端的另一端相連。實現電源反接保護，避免異常發熱及電源浪涌，提高設備工作可靠性。

技術領域

本實用新型屬于智能穿戴設備技術領域，具體涉及一種防電源反接的電路及智能穿戴設備。

背景技術

智能穿戴類電子設備（例如智能手環、藍牙耳機等）中使用的電源芯片一般具有較高的耐正壓能力，但耐反壓能力很差，在對電源芯片反接電源時可能會引起燒壞電子設備內部器件的風險。目前，通過從結構或硬件電路上防止電源反接，結構上的設計不能從根本上防止電源反接，且設計對稱性差，影響外觀；常用硬件電路防反接電路是在電源端并聯二極管D9（如圖1所示）或串聯MOS管（如圖2所示），在并聯二極管時，當電源反接時，二極管D9正向導通，會產生較大電流，導致D9發熱，甚至燒壞；在串聯MOS管Q2時，當電源側（電源正極或地）存在浪涌干擾時，浪涌會直接進入MOS管Q2的柵極或漏極，導致燒壞MOS管Q2。

實用新型內容

本實用新型提供一種防電源反接的電路及智能穿戴設備，實現電源反接保護，避免異常發熱及電源浪涌，提高設備工作可靠性。

為了解決上述技術問題，本實用新型提出如下技術方案予以解決：

一種防電源反接的電路，用于電源芯片，其特征在于，包括瞬態電壓抑制器、MOS管、第一電阻和第二電阻；所述瞬態電壓抑制器并聯在所述電源的兩端之間；所述MOS管的漏極和所述電源的一端均與所述瞬態電壓抑制器的一端相連，所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端均與所述MOS管的柵極相連，所述電源的另一端和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態電壓抑制器的另一端相連，所述PMOS管的源極和所述電源芯片的供電端的一端均與所述第二電阻的另一端相連；所述第一電阻的另一端與所述供電端的另一端相連。

進一步地，所述瞬態電壓抑制器包括反向串聯的第一穩壓管和第二穩壓管。

進一步地，所述MOS管為PMOS管，所述PMOS的漏極和所述電源的正極均與所述瞬態電壓抑制器的一端相連，所述電源的負極和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態電壓抑制器的另一端相連，所述PMOS的源極和所述供電端的正極均與所述第二電阻的另一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的負極相連。

進一步地，所述MOS管為NMOS管，所述電源的正極和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態電壓抑制器的一端相連，所述電源的負極和所述NMOS管的漏極均與所述瞬態電壓抑制器的另一端相連，所述NMOS管的源極和所述供電端的負極均與所述第二電阻的另一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的正極相連。

進一步地，所述防電源反接的電路還包括與所述瞬態電壓抑制器并聯的第一濾波電路；所述漏極和所述瞬態電壓抑制器的一端均與所述第一濾波電路的一端相連，且所述第一電阻的另一端與所述瞬態電壓抑制器的另一端均與所述第一濾波電路的另一端相連。

進一步地，所述防電源反接的電路還包括電容，所述第二電阻的另一端和所述供電端的一端均與所述電容的一端相連，所述第一電阻的另一端和所述供電端的另一端均與所述電容的另一端相連。

進一步地，所述防電源反接的電路還包括第二濾波電路，所述第二電阻的另一端和所述供電端的一端均與所述第二濾波電路的一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的另一端均與所述第二濾波電路的另一端相連。

本實用新型還涉及一種智能穿戴設備，包括電源芯片，其特征在于，還包括如上所述的防電源反接的電路。