[實(shí)用新型]一種防電源反接的電路及智能穿戴設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822085050.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209184237U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱雙帥;趙立國(guó);王星磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 歌爾科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/04 | 分類號(hào)： | H02H9/04;H02H11/00 |
| 代理公司： | 青島聯(lián)智專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37101 | 代理人： | 張翠紅 |
| 地址： | 266104 山東省青島*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 瞬態(tài)電壓抑制器 電源反接 電源 電路 穿戴設(shè)備 電源芯片 本實(shí)用新型 工作可靠性 供電 電源浪涌 異常發(fā)熱 柵極相連 智能 漏極 源極 | ||
1.一種防電源反接的電路，用于電源芯片，其特征在于，包括瞬態(tài)電壓抑制器、MOS管、第一電阻和第二電阻；所述瞬態(tài)電壓抑制器并聯(lián)在所述電源的兩端之間；所述MOS管的漏極和所述電源的一端均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的一端相連，所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端均與所述MOS管的柵極相連，所述電源的另一端和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的另一端相連，所述MOS管的源極和所述電源芯片的供電端的一端均與所述第二電阻的另一端相連；所述第一電阻的另一端與所述供電端的另一端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防電源反接的電路，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制器包括反向串聯(lián)的第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防電源反接的電路，其特征在于，所述MOS管為PMOS管，所述PMOS的漏極和所述電源的正極均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的一端相連，所述電源的負(fù)極和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的另一端相連，所述PMOS的源極和所述供電端的正極均與所述第二電阻的另一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的負(fù)極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防電源反接的電路，所述MOS管為NMOS管，所述電源的正極和所述第一電阻的另一端均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的一端相連，所述電源的負(fù)極和所述NMOS管的漏極均與所述瞬態(tài)電壓抑制器的另一端相連，所述NMOS管的源極和所述供電端的負(fù)極均與所述第二電阻的另一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的正極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防電源反接的電路，其特征在于，還包括與所述瞬態(tài)電壓抑制器并聯(lián)的第一濾波電路；所述漏極和所述瞬態(tài)電壓抑制器的一端均與所述第一濾波電路的一端相連，且所述第一電阻的另一端與所述瞬態(tài)電壓抑制器的另一端均與所述第一濾波電路的另一端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防電源反接的電路，其特征在于，還包括電容，所述第二電阻的另一端和所述供電端的一端均與所述電容的一端相連，所述第一電阻的另一端和所述供電端的另一端均與所述電容的另一端相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防電源反接的電路，其特征在于，還包括第二濾波電路，所述第二電阻的另一端和所述供電端的一端均與所述第二濾波電路的一端相連，所述第一電阻的另一端與所述供電端的另一端均與所述第二濾波電路的另一端相連。
8.一種智能穿戴設(shè)備，包括電源芯片，其特征在于，還包括權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的防電源反接的電路。
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