[實用新型]發光元件陣列結構有效
| 申請號: | 201822074118.5 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN212783455U | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 劉逸群;洪培豪;賈孟寰;沈建成;李遠智 | 申請(專利權)人: | 同揚光電(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張曉霞;臧建明 |
| 地址: | 225009 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 陣列 結構 | ||
本實用新型提供一種發光元件陣列結構,其包括基板、圖案化絕緣膜層以及多個發光元件。所述基板的上表面具有圖案化線路層。所述圖案化絕緣膜層設置于所述基板上并覆蓋所述上表面與所述圖案化線路層。所述圖案化絕緣膜層包括呈陣列配置的多個開口,以暴露部分所述圖案化線路層,其中所述圖案化絕緣膜層的頂表面的粗糙度介于0.2微米至6微米之間。所述多個發光元件以陣列形式設置于所述圖案化絕緣膜層上,且所述多個發光元件通過所述多個開口而與所述圖案化線路層電連接,其中所述多個發光元件中的每一個的尺寸小于或等于200微米。本實用新型提供的發光元件陣列結構,其阻焊層的平坦度較佳,且發光元件與基板之間的接合良率較高。
技術領域
本實用新型涉及一種發光元件陣列結構。
背景技術
傳統的發光二極管多用于液晶顯示裝置的背光源或是直接做為發光像素點使用,然而后者由于分辨率不足的因素,多用于大型的廣告燈板,較少應用于消費性電子產品。
近年來開始發展一種新的顯示技術-次毫米發光二極管(Mini LED)以及微發光二極管(Micro LED),主要是將LED進行微小化、薄膜化、以及陣列化,其尺寸大小為微米級。上述呈陣列配置的發光元件陣列應用到顯示技術上,要如何將大量的發光元件呈陣列地與基板緊密接合變得十分重要。然而,目前公知的形成阻焊層的工藝中,通常是通過滾輪涂布法及網版印刷法等方法來形成阻焊層于基板上。上述的方法所形成的阻焊層的表面平坦度不足。此外,此平坦度不佳的阻焊層會影響其厚度均勻性以及發光元件與焊墊接合的強度與電性表現。
實用新型內容
本實用新型提供一種發光元件陣列結構,其阻焊層的平坦度較佳,且發光元件與基板之間的接合良率較高。
本實用新型的一種發光元件陣列結構包括基板、圖案化絕緣膜層以及多個發光元件。所述基板的上表面具有圖案化線路層。所述圖案化絕緣膜層設置于所述基板上并覆蓋所述上表面與所述圖案化線路層。所述圖案化絕緣膜層包括呈陣列配置的多個開口,以暴露部分所述圖案化線路層,其中所述圖案化絕緣膜層的頂表面的粗糙度介于0.2微米至6微米之間。所述多個發光元件以陣列形式設置于所述圖案化絕緣膜層上,且所述多個發光元件通過所述多個開口而與所述圖案化線路層電連接,其中所述多個發光元件中的每一個的尺寸小于或等于200微米。
在本實用新型的一實施例中,所述多個發光元件中的每一個包括次毫米發光二極管或微發光二極管。
在本實用新型的一實施例中,所述多個發光元件分別組成多個三原色發光元件組,所述各個三原色發光元件組中的發光元件的發光色各不相同。
在本實用新型的一實施例中,所述圖案化線路層包括呈陣列配置的多個接墊,分別對應所述多個開口,所述多個發光元件通過所述多個開口而與所述多個接墊電連接。
在本實用新型的一實施例中,所述多個接墊彼此結構隔離。
基于上述,由于本實用新型的發光元件陣列結構的制作方法是先于介電層上形成絕緣膜層后,再進行熱壓合工藝以使絕緣膜層的表面達到平坦化的效果。因此,本實用新型可達成絕緣膜層的表面平坦化以及絕緣膜層表面至介電層表面之間的厚度均勻性,因而可提升后續發光元件的接合良率。
為讓本實用新型的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
包含附圖以便進一步理解本實用新型,且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本實用新型的實施例,并與描述一起用于解釋本實用新型的原理。
圖1至圖6為本實用新型實施例的一種發光元件陣列結構的制作方法的部分流程剖面示意圖;
圖7至圖9為對圖6的經平坦化的絕緣膜層進行圖案化工藝的流程剖面示意圖;
圖10至圖11為對圖6的經平坦化的絕緣膜層進行圖案化工藝的另一流程剖面示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





