[實用新型]發光元件陣列結構有效
| 申請號: | 201822074118.5 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN212783455U | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 劉逸群;洪培豪;賈孟寰;沈建成;李遠智 | 申請(專利權)人: | 同揚光電(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張曉霞;臧建明 |
| 地址: | 225009 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 陣列 結構 | ||
1.一種發光元件陣列結構,其特征在于,包括:
基板,包括介電層、第一圖案化線路層、第二圖案化線路層及多個導通孔,其中所述基板的所述介電層具有上表面及相對于所述上表面的下表面,所述第一圖案化線路層位于所述介電層的所述上表面上,所述第二圖案化線路層位于所述介電層的所述下表面上,所述多個導通孔貫穿所述介電層以電連接所述第一圖案化線路層及所述第二圖案化線路層;
圖案化絕緣膜層,設置于所述基板上并覆蓋所述上表面與所述第一圖案化線路層,所述圖案化絕緣膜層包括呈陣列配置的多個開口,以暴露部分所述第一圖案化線路層,其中所述圖案化絕緣膜層的頂表面的粗糙度介于0.2微米至6微米之間;以及
多個發光元件以陣列形式設置于所述圖案化絕緣膜層上,且所述多個發光元件通過所述多個開口而與所述第一圖案化線路層電連接,其中所述多個發光元件中的每一個的尺寸小于或等于200微米。
2.根據權利要求1所述的發光元件陣列結構,其特征在于,所述多個發光元件中的每一個包括次毫米發光二極管或微發光二極管。
3.根據權利要求1所述的發光元件陣列結構,其特征在于,所述多個發光元件分別組成多個三原色發光元件組,各個所述多個三原色發光元件組中的所述多個發光元件的發光色各不相同。
4.根據權利要求1所述的發光元件陣列結構,其特征在于,所述第一圖案化線路層包括呈陣列配置的多個接墊,分別對應所述多個開口,所述多個發光元件通過所述多個開口而與所述多個接墊電連接。
5.根據權利要求4所述的發光元件陣列結構,其特征在于,所述多個接墊彼此結構隔離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





