[實用新型]三結疊層太陽能電池有效
| 申請號: | 201822071225.2 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN209357741U | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 方亮;張皓;曾燕;彭敏 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0725 | 分類號: | H01L31/0725;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉誠 |
| 地址: | 100176 北京市大興區亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 疊層太陽能電池 中間電池 底電池 頂電池 隧穿結 電轉換效率 疊層 申請 | ||
本申請涉及一種三結疊層太陽能電池。所述三結疊層太陽能電池包括依次疊層設置的底電池、中間電池和頂電池,所述底電池和所述中間電池通過所述第一隧穿結連接,所述中間電池和所述頂電池通過第二隧穿結連接,其中,所述底電池為HIT太陽能電池。本申請實施例提供的所述三結疊層太陽能電池具有成本低的優點。同時,所述三結疊層太陽能電池的電轉換效率高,穩定性好。
技術領域
本申請涉及太陽能電池領域,特別是涉及一種三結疊層太陽能電池。
背景技術
太陽能光伏發電在全球取得長足發展。常用太陽能電池一般包括晶硅太陽能電池、薄膜太陽能電池、砷化鎵(GaAs)太陽能電池等。其中,正向晶格匹配三結疊層砷化鎵太陽能電池由于光電轉換效率高、抗輻照性能好已經被廣泛的應用在空間電源系統。正向晶格匹配三結疊層砷化鎵太陽能電池的在AM 0光譜下的轉換效率都接近30.0%。
傳統技術的正向晶格匹配三結疊層太陽能電池主要為GaInP/GaAs/Ge三結疊層太陽能電池。然而,傳統技術的正向晶格匹配三結砷化鎵三結疊層電池存在成本高的問題。
實用新型內容
基于此,有必要針對成本高的問題,提供一種三結疊層太陽能電池。
一種三結疊層太陽能電池,包括依次疊層設置的底電池、中間電池和頂電池,所述底電池和所述中間電池通過所述第一隧穿結連接,所述中間電池和所述頂電池通過第二隧穿結連接,其中,所述底電池為HIT太陽能電池。
在其中一個實施例中,所述中間電池為GaAs太陽能電池。
在其中一個實施例中,所述GaAs太陽能電池包括依次疊層設置的p型摻雜AlxGa1-xAs背場層、p型摻雜GaAs基區、n型摻雜GaAs發射區和n型摻雜AlxGa1-xAs窗口層,其中,所述p型摻雜AlxGa1-xAs背場層與所述第一隧穿結連接,所述n型摻雜AlxGa1-xAs窗口層與所述第二隧穿結連接。
在其中一個實施例中,所述頂電池為GaInP太陽能電池。
在其中一個實施例中,所述GaInP太陽能電池包括依次疊層設置的p型摻雜AlGaInP背場層、p型摻雜GaInP基區、n型摻雜GaInP發射區和n型摻雜AlInP窗口層,其中,所述p型摻雜AlGaInP背場層與所述第二隧穿結連接。
在其中一個實施例中,所述第一隧穿結包括疊層設置的隧穿層和鍵合層,所述隧穿層與所述中間電池連接,所述鍵合層與所述底電池連接。
在其中一個實施例中,所述隧穿層包括疊層設置的第一p型AlGaAs層和第一n型GaInP層,所述第一n型GaInP層與所述鍵合層連接。
在其中一個實施例中,所述鍵合層為GaAs材料制成。
在其中一個實施例中,所述底電池包括依次疊層設置的TCO層、p型非晶硅層、第一本征非晶硅鈍化層、p型Si襯底、第二本征非晶硅鈍化層和n型非晶硅層,其中,所述n型非晶硅層與所述第一隧穿結連接。
在其中一個實施例中,所述第二隧穿結包括依次疊層設置的第二p型AlGaAs層和第二n型GaInP層,所述第二p型GaInP層與所述中間電池連接,所述第二n型GaInP層與所述頂電池連接。
附圖說明
圖1為本申請一個實施例提供的三結疊層太陽能電池結構示意圖;
圖2為本申請一個實施例提供的底電池結構示意圖;
圖3為本申請一個實施例提供的中間電池結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





