[實用新型]三結疊層太陽能電池有效
| 申請號: | 201822071225.2 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN209357741U | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 方亮;張皓;曾燕;彭敏 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0725 | 分類號: | H01L31/0725;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉誠 |
| 地址: | 100176 北京市大興區亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 疊層太陽能電池 中間電池 底電池 頂電池 隧穿結 電轉換效率 疊層 申請 | ||
1.一種三結疊層太陽能電池,其特征在于,包括依次疊層設置的底電池(100)、中間電池(200)和頂電池(300),所述底電池(100)和所述中間電池(200)通過第一隧穿結(400)連接,所述中間電池(200)和所述頂電池(300)通過第二隧穿結(500)連接,其中,所述底電池(100)為HIT太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述中間電池(200)為GaAs太陽能電池。
3.根據權利要求2所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述GaAs太陽能電池包括依次疊層設置的p型摻雜AlxGa1-xAs背場層(210)、p型摻雜GaAs基區(220)、n型摻雜GaAs發射區(230)和n型摻雜AlxGa1-xAs窗口層(240),其中,所述p型摻雜AlxGa1-xAs背場層(210)與所述第一隧穿結(400)連接,所述n型摻雜AlxGa1-xAs窗口層(240)與所述第二隧穿結(500)連接。
4.根據權利要求2所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述頂電池(300)為GaInP太陽能電池。
5.根據權利要求4所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述GaInP太陽能電池包括依次疊層設置的p型摻雜AlGaInP背場層(310)、p型摻雜GaInP基區(320)、n型摻雜GaInP發射區(330)和n型摻雜AlInP窗口層(340),其中,所述p型摻雜AlGaInP背場層(310)與所述第二隧穿結(500)連接。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述第一隧穿結(400)包括疊層設置的隧穿層(410)和鍵合層(420),所述隧穿層(410)與所述中間電池(200)連接,所述鍵合層(420)與所述底電池(100)連接。
7.根據權利要求6所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述隧穿層(410)包括疊層設置的第一p型AlGaAs層(411)和第一n型GaInP層(412),所述第一n型GaInP層(412)與所述鍵合層(420)連接。
8.根據權利要求7所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述鍵合層(420)為GaAs材料制成。
9.根據權利要求1所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述底電池(100)包括依次疊層設置的TCO層(110)、p型非晶硅層(120)、第一本征非晶硅鈍化層(130)、p型Si襯底(140)、第二本征非晶硅鈍化層(150)和n型非晶硅層(160),其中,所述n型非晶硅層(160)與所述第一隧穿結(400)連接。
10.根據權利要求1所述的三結疊層太陽能電池,其特征在于,所述第二隧穿結(500)包括依次疊層設置的第二p型AlGaAs層(510)和第二n型GaInP層(520),所述第二p型AlGaAs層(510)與所述中間電池(200)連接,所述第二n型GaInP層(520)與所述頂電池(300)連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于君泰創新(北京)科技有限公司,未經君泰創新(北京)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822071225.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種帶散熱裝置的太陽能發電裝置
- 下一篇:三結疊層太陽能電池
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





