[實用新型]芯片內(nèi)置電路板、組合傳感器及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822059937.2
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209259680U
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王德信;邱文瑞;楊軍偉;潘新超;端木魯玉
• 申請（專利權(quán)）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國

本實用新型公開一種芯片內(nèi)置電路板、應(yīng)用該芯片內(nèi)置電路板的組合傳感器及應(yīng)用該組合傳感器的電子設(shè)備。其中，芯片內(nèi)置電路板包括基體電路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片間隔地設(shè)于所述基體電路板中，所述基體電路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之間開設(shè)有抗干擾孔。本實用新型的技術(shù)方案旨在減弱芯片內(nèi)置電路板中相鄰兩芯片之間的電磁干擾。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片內(nèi)置電路板、應(yīng)用該芯片內(nèi)置電路板的組合傳感器及應(yīng)用該組合傳感器的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

傳感器作為檢測器件，已普遍應(yīng)用在手機、筆記本電腦、平板電腦以及穿戴設(shè)備之中。近年來，隨著科技的快速發(fā)展，微機電系統(tǒng)(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)應(yīng)運而生。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)，將多個傳感器集成封裝在一起，使其同時工作，以實現(xiàn)多個功能，也逐漸成為行業(yè)內(nèi)的主流研究方向。在這之中，為了節(jié)省空間，普遍會采用芯片內(nèi)置電路板，即將多個傳感器的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，專用集成電路)芯片采用埋入的方式預(yù)先封裝于基體電路板中，之后再與多個MEMS芯片進行封裝，以得到組合傳感器。但是，由于基體電路板體積較小，封裝后相鄰兩ASIC芯片之間間距較小，彼此之間容易產(chǎn)生電磁干擾，致使產(chǎn)品性能降低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的主要目的是提供一種芯片內(nèi)置電路板，旨在減弱芯片內(nèi)置電路板中相鄰兩芯片之間的電磁干擾。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出的芯片內(nèi)置電路板包括基體電路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片間隔地設(shè)于所述基體電路板中，所述基體電路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之間開設(shè)有抗干擾孔。

在本實用新型一實施例中，定義所述抗干擾孔距所述第一ASIC芯片的距離為L1，0.1mm≤L1≤0.5mm。

在本實用新型一實施例中，定義所述抗干擾孔距所述第二ASIC芯片的距離為L2，0.1mm≤L2≤0.5mm。

在本實用新型一實施例中，定義所述抗干擾孔于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片排列方向上的寬度為D，0.8mm≤D≤1mm。

在本實用新型一實施例中，所述抗干擾孔的橫截面的形狀為圓形、橢圓形、正方形、長方形、菱形或平行四邊形。

在本實用新型一實施例中，所述抗干擾孔設(shè)有若干，若干所述抗干擾孔依次排列，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分別位于若干所述抗干擾孔排列方向的兩側(cè)。

在本實用新型一實施例中，定義任意兩相鄰的所述抗干擾孔之間的距離中的最小值為d，0.5mm≤d≤1mm。

在本實用新型一實施例中，所述抗干擾孔呈長條形設(shè)置，所述抗干擾孔的兩端分別朝向所述基體電路板的兩側(cè)邊延伸設(shè)置。

本實用新型還提出一種組合傳感器，包括：

芯片內(nèi)置電路板，所述芯片內(nèi)置電路板包括基體電路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片間隔地設(shè)于所述基體電路板中，所述基體電路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之間開設(shè)有抗干擾孔；

第一MEMS芯片，設(shè)于所述芯片內(nèi)置電路板的表面，并與所述第一ASIC芯片電性連接；

第二MEMS芯片，設(shè)于所述芯片內(nèi)置電路板的表面，并與所述第一MEMS芯片間隔設(shè)置，所述第二MEMS芯片與所述第二ASIC芯片電性連接；

罩殼，所述罩殼罩設(shè)于所述芯片內(nèi)置電路板的表面，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片位于所述罩殼內(nèi)。