[實用新型]多芯同軸器件

有效

• 申請號: 201822059734.3
• 申請日: 2018-12-10
• 公開（公告）號: CN209374646U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 王歡
• 申請（專利權）人: 上海昕訊微波科技有限公司;江蘇昕訊線纜科技有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22;H01P1/26;H01R4/48
• 代理公司: 蘇州市新蘇專利事務所有限公司 32221
• 代理人: 張國增

1.一種多芯同軸器件，其特征在于：其包括：

外殼，其內形成有安裝空腔；

組裝于所述安裝空腔內的連接組件，其包括形成有導體空腔的連接套筒、位于所述導體空腔的中部的內導體、套設于所述內導體上并固持于所述連接套筒內壁上的絕緣套和組裝于所述內導體的內端的彈性導體接觸件；

組裝于所述安裝空腔內的互連組件，其包括形成有導體空腔的互連套筒、位于所述導體空腔的中部的互連導體、套設于所述互連導體上并固持于所述互連套筒內壁上的絕緣套和組裝于所述互連導體的兩端的彈性導體接觸件；

組裝于所述安裝空腔內的多個薄膜芯片組件，其中每個薄膜芯片組件包括形成有芯片空腔的芯筒和安裝于所述芯筒內的芯片空腔內的薄膜芯片，每兩個相鄰的薄膜芯片組件之間設置一個互連組件；

其中，組裝于所述互連組件的互連導體的一端的彈性導體接觸件與相鄰的薄膜芯片組件中的薄膜芯片的一端電性相連，組裝于所述互連組件的互連導體的另一端的彈性導體接觸件與相鄰的薄膜芯片組件中的薄膜芯片的一端相連，組裝于所述連接組件的內導體的內端的彈性導體接觸件與相鄰的薄膜芯片組件中的薄膜芯片的一端相連，

所述薄膜芯片為負載片和/或衰減片。

2.如權利要求1所述的多芯同軸器件，其特征在于，所述多芯同軸器件為多芯同軸衰減器，

所述連接組件為兩個，其中一個連接組件組裝于所述安裝空腔的一端，另一個連接組件組裝于所述安裝空腔的另一端，所述互連組件和所述薄膜芯片組件安裝于兩個連接組件之間，

所述薄膜芯片均為衰減片，所述多個薄膜芯片組件的增益的絕對值按照在所述安裝空腔內的位置順序從信號輸入端至信號輸出端依次增加。

3.如權利要求1所述的多芯同軸器件，其特征在于，所述多芯同軸器件為多芯同軸負載，

所述連接組件為一個，其中所述連接組件組裝于所述安裝空腔的一端；

距離所述連接組件最遠的薄膜芯片為負載片，其余薄膜芯片為衰減片，

所述多個薄膜芯片組件的增益的絕對值按照所述連接組件的位置順序從靠近所述連接組件到遠離所述連接組件依次增加。

4.如權利要求3所述的多芯同軸器件，其特征在于，其還包括有組裝于所述安裝空腔的另一端的負載堵頭。

5.如權利要求1所述的多芯同軸器件，其特征在于，

所述芯筒的筒壁上設置有兩個對應的卡槽，所述薄膜芯片的兩側邊插入并固持與所述卡槽內。

6.如權利要求5所述的多芯同軸器件，其特征在于，

所述衰減片的兩側邊焊接于所述卡槽內。

7.如權利要求1所述的多芯同軸器件，其特征在于，

所述衰減片包括基板、自所述基板的第一端邊中部向第二端邊延伸形成的第一金屬電極區、自所述基板的第二端邊中部向第一端邊延伸形成的第二金屬電極區、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第一側邊的第一金屬接地區、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第二側邊的第二金屬接地區、自第一金屬接地區向第二金屬接地區延伸的薄膜電阻區，

該薄膜電阻區與第一金屬接地區、第二金屬接地區、第一金屬電極區、第二金屬電極區電性相連，

第一金屬接地區和第二金屬接地區與所述芯筒的內壁電性相連，

第一金屬電極區與相鄰的彈性導體接觸件電性相連，第二金屬電極區與相鄰的彈性導體接觸件相連。

8.如權利要求7所述的多芯同軸器件，其特征在于，

所述基板的四個角為階梯角，第二金屬接地區和第一金屬接地區自階梯角的邊緣開始延伸或自階梯角的邊緣間隔一段距離再開始延伸，從而使得第二金屬接地區和第一金屬接地區的長度較所述基板的第一端邊和第二端邊之間的長度小。