[實用新型]一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊

有效

• 申請號: 201822056974.8
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209315084U
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 譚志鋒
• 申請（專利權）人: 浙江奧科半導體有限公司
• 主分類號: A45D1/04
• 分類號: A45D1/04;A45D2/00;H02J7/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：至少設有二半波交流電源輸入接腳、一工作電壓輸出接腳、一個直流電壓輸出接腳、一MCU單片機芯片、由MCU單片機芯片內多個I/O腳組成功能復合接腳、可控硅芯片內一閘極接腳以及一被控主極接腳，該集成模塊包含有：

一芯片，該芯片包括一內部供電電路單元，其與半波交流電源輸入接腳相連接，其包含有一第一軟開關、一恒流源及一啟動電路，當芯片上電時，電流經該第一軟開關及該恒流源，可對芯片外部的儲能電容進行充電，當達到啟動電路上限參考電壓，該第一軟開關即關閉對外部儲能電容的充電路徑，并提供芯片內部的工作電壓；

一電容充電電路單元，其與交流電源輸入端相連接，其包含有一交流檢測鉗位電路及一第二軟開關，當該交流檢測鉗位電路檢測到低壓工作區電位時，即開啟該第二軟開關，繼續對外部的儲能電容以低頻非連續性脈沖繼續充電，以提供內部MCU電源以及外部元器件電源使用；

一MCU單片機芯片，MCU單片機芯片的電源與地線、超高壓供電驅動芯片電源接腳相連接，MCU單片機芯片可提供多個多功能I/O復合腳，分別與外部軟件刻錄、功能定義、對外連接用；

一雙向可控硅芯片，具有一主極、一被控主極及一閘極，主極與集成模塊其中一半波交流電源輸入接腳相連接，被控主極與外部負載端相連接，閘極與控制信號輸入端相連接。

2.根據權利要求1所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：該半波交流電源輸入接腳所輸入的半波交流電流利用一二極體，將全波的交流電流轉成半波的交流電流。

3.根據權利要求1所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元包含有一第三軟開關，該第三軟開關的一端與一第一儲能電容相連接，另一端連接有一第二儲能電容，該第一儲能電容的能量可經由第三軟開關釋放給第二儲能電容，以確保負載端足夠能量供應。

4.根據權利要求3所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：第一軟開關、第二軟開關及第三軟開關均為金屬氧化物半導體場效電晶體。

5.根據權利要求1所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：該集成模塊還包括一主動泄放電路單元，該主動泄放電路單元與交流電源輸入端相連接，利用主動泄放電路，提供電流源泄放通道，以確保輸入能量能在充電期間，對外部儲能電容進行充電。

6.根據權利要求1所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元再第二軟開關處設有一過熱保護電路以及一第一欠壓過壓保護電路。

7.根據權利要求1所述的一種超高壓非隔離直發器專用集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元在第三軟開關處設有一第二欠壓過壓保護電路以及一過電流限制電路。