[實用新型]基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構

有效

• 申請號: 201822049799.X
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209487504U
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 全慶霄;姜巖峰;張巧杏;袁野;王輝
• 申請（專利權）人: 無錫豪幫高科股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波;曹鍵

1.一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構，其特征在于它包括金屬引線框架，金屬引線框架上通過錫膏焊接有源器件和無源器件，金屬引線框架上通過銀膠粘貼芯片；

芯片中有一個芯片具有光靈敏控制集成電路，光靈敏控制集成電路中包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第一電阻以及第二電阻；

其中：第一三極管和第四三極管是PNP晶體管，

第二三極管和第三三極管是NPN晶體管，

其中：第一三極管、第二三極管和第一電阻組成正半周電路，第四三極管、第三三極管和第二電阻組成負半周電路，正半周電路和負半周電路頭尾相連構成了整個電路，第一三極管、第二三極管、第四三極管、第三三極管形成一個逆時針的回路，第一電阻連接于第二三極管的發射極和基極之間，第二電阻連接于第三三極管的發射極和基極之間；

其中：第一三極管的集電極連接第二三極管的基極，第二三極管的基極連接第一三極管的基極，該電路接交流電壓。

2.根據權利要求1所述的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構，其特征在于有源器件為分立器件或者集成電路，無源器件為電阻、電感或者電容，分立器件為二極管、三極管、MOS管或者可控硅。

3.根據權利要求1所述的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構，它采用一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構的生產流水線進行生產，一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構的生產流水線從前至后依次包括引線框架上料裝置（101）、鋼網印刷裝置（102）、第一AOI自動光學檢測裝置（103）、有源器件安裝裝置（104）、無源器件安裝裝置（105）、回流焊裝置（106）、第二AOI自動光學檢測裝置（107）、芯片安裝裝置（108）、第一烘烤裝置（109）、鍵合裝置（110）、塑封裝置（111）、第二烘烤裝置（112）、打標裝置（113）、電鍍裝置（114）、成型切筋裝置（115）、外觀檢測包裝裝置（116）。

4.根據權利要求3所述的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的集成電路封裝結構，回流焊裝置（106）啟用時內部充滿氮氣保護。