[實用新型]一種LTCF帶通濾波器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822048396.3
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209088035U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邢孟江;代傳相;李元勛;李小珍;劉永紅
• 申請（專利權(quán)）人: 邢孟江;代傳相
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 北京市盈科律師事務(wù)所 11344
• 代理人: 羅東

本實用新型涉及一種LTCF帶通濾波器，屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型包括端口電極層、第一薄膜電容層、共燒鐵氧體電感層和第二薄膜電容層，所述端口電極層導(dǎo)體連接第一薄膜電容層，第一薄膜電容層通過通孔連接共燒鐵氧體電感層，共燒鐵氧體電感層通過通孔連接第二薄膜電容層，端口電極層包含輸入電極IN、輸出電極OUT、接地電極GND，所述端口電極層形成于第一薄膜電容層上，通過諧振器耦合形成帶通電路，并通過LTCF和薄膜工藝組合實現(xiàn)等效集總電路模型，這種實現(xiàn)方式在有限的空間內(nèi)有效提高電感量和電感Q值，同時采用薄膜工藝得到精準(zhǔn)高容量的電容。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種LTCF帶通濾波器，屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

現(xiàn)代無線通訊系統(tǒng)及計算機技術(shù)的飛速發(fā)展對微波射頻濾波器的微型化、性能優(yōu)、高可靠的要求愈來愈高。耦合諧振帶通濾波器作為射頻收發(fā)組件以及無線電系統(tǒng)中的重要無源器件，是當(dāng)前各科研學(xué)者研究的重點。與LTCC微波器件一樣，LTCF器件在通信與計算機領(lǐng)域的應(yīng)用也十分廣泛，特別是寬帶業(yè)務(wù)數(shù)字網(wǎng)、移動通訊、藍牙模塊、頻率合成器、汽車電子以及宇航微波產(chǎn)品等方面。基于LTCF技術(shù)設(shè)計研制的產(chǎn)品主要有多層片式電感、多層片式濾波器、抗電磁干擾磁珠陣列；隨著對LTCF技術(shù)的深入研究，目前基于此工藝已研制出一系列的磁性組件、系統(tǒng)以及磁性功率模塊。

日本TDK公司在1983年，研制出一款LTCF多層片式LC濾波器，該濾波器將NiCuZn鐵氧體材料和陶瓷介質(zhì)疊加在一起進行低溫共燒，并且很好的解決了鐵氧體材料、陶瓷介質(zhì)及高導(dǎo)材料三位一體共燒的問題。同時期，美國也有很多LTCF器件的專利問世，其中Midcom公司的LTCF微磁變壓器的額定功率可達250mW。在各個行業(yè)的發(fā)展與市場需求的推動下，我國各個單位也相繼展開了對LTCF技術(shù)的研究，但是由于國內(nèi)起步太晚，加工工藝線和材料技術(shù)的限制，我國在低溫共燒鐵氧體方面一直沒有取得比較大的進展。材料和工藝設(shè)備主要還是依賴國外進口，LTCF器件的設(shè)計工作也受到了嚴重的制約。

隨著通訊、計算機等技術(shù)的飛速發(fā)展,促進電子設(shè)備向更小、更輕、高性能的趨勢發(fā)展, 相應(yīng)地對以鐵氧體為材料的電子元器件提出了更高的要求；由于鐵氧體材料的磁場頻率恒定時電容隨外磁場增大而增大,磁電容隨磁場頻率的增大而緩慢下降,但近似呈線性關(guān)系；現(xiàn)有鐵氧體材料和加工工藝只能小尺寸內(nèi)提供高電感量，并不能在小尺寸內(nèi)提供高電容量，從而導(dǎo)致低頻無源器件的尺寸無法做到更小。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有帶通濾波器存在的上述缺陷，提供了一種LTCF帶通濾波器，通過諧振器耦合形成帶通電路，并通過LTCF和薄膜工藝組合實現(xiàn)等效集總電路模型，這種實現(xiàn)方式在有限的空間內(nèi)有效提高電感量和電感Q值，同時采用薄膜工藝得到精準(zhǔn)高容量的電容。

本實用新型是采用以下的技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種LTCF帶通濾波器，包括端口電極層、第一薄膜電容層、共燒鐵氧體電感層和第二薄膜電容層，所述端口電極層導(dǎo)體連接第一薄膜電容層，第一薄膜電容層通過通孔連接共燒鐵氧體電感層，共燒鐵氧體電感層通過通孔連接第二薄膜電容層。

進一步地，端口電極層包含輸入電極IN、輸出電極OUT、接地電極GND，所述端口電極層形成于第一薄膜電容層上。

進一步地，第一薄膜電容層上還形成有薄膜電容C1和薄膜電容C2,所述第二薄膜電容層上形成有薄膜電容C3、薄膜電容C4、薄膜電容C5和薄膜電容C6。

進一步地，第一薄膜電容層和第二薄膜電容層的氮化硅層的厚度為0.2μm，金屬導(dǎo)電層I 和金屬導(dǎo)電層II的厚度均為5μm，氮化硅鈍化層的厚度為150um。

進一步地，共燒鐵氧體電感層上形成有電感L1、電感L2、電感L3、電感L4，電感L1通過通孔和薄膜電容C1相連，電感L2通過通孔和薄膜電容C2相連，電感L3通過通孔和薄膜電容C3 相連、電感L4通過通孔和薄膜電容C4相連。