[實用新型]一種擾流式晶圓去膜裝置

有效

• 申請號: 201822046309.0
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209086666U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 洪俊雄
• 申請（專利權）人: 臺灣先進系統股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

本實用新型提供一種擾流式晶圓去膜裝置，包含，一晶圓對位承載模塊、一機械運送手臂、一去膜槽以及一擾流夾持模塊；欲進行去膜時，所述機械運送手臂將整個晶圓對位承載模塊運送進入所述去膜槽，并將被晶圓對位承載模塊夾持的晶圓置放至所述擾流夾持模塊，改由所述擾流夾持模塊的多個擾流夾持板分別夾持各晶圓；完成去膜后，所述機械運送手臂將整個晶圓對位承載模塊運送進入所述去膜槽內，將已完成去膜的晶圓重新夾持，再將整個晶圓對位承載模塊移出去膜槽。

技術領域

本實用新型有關一種擾流式晶圓去膜裝置。

背景技術

在半導體的制程中，必須經過數次的光罩(mask)程序，在每次光罩程序里都必須使用光阻(photoresist)，然后待該程序結束后，再將光罩程序里所用的光阻去除(stripping)，一般業界通稱晶圓去膜。然而，不同的光罩程序可能采用不同厚度的光阻層，例如，電子構裝所使用光阻層厚度，一般比前段IC制造的光阻層厚。再加上因為負光阻產生交連作用(Cross-linking)，光阻比較不易去除；另外，光阻剝離制程還必須避免光阻回沾問題。

圖1a-圖1c所示為現有的晶圓去膜方式的示意圖；包括，圖1a單一晶圓片的噴霧與旋轉(single wafer spin/spray)、圖1b批次式噴霧(batch spray)與圖1c傳統批次式浸泡(conventional batch immersion)；其中，圖1a的缺點是低產出(throughput)，圖1b則是容易發生不均勻或噴嘴容易阻塞狀況，而圖1c因為是利用去除劑(stripper)浸泡所產生的化學反應除去光阻膜，因此去膜效果較差，所需時間也較長。

實用新型內容

本實用新型的實施例公開了一種擾流式晶圓去膜裝置，包含，一晶圓對位承載模塊、一機械運送手臂、一去膜槽以及一擾流夾持模塊；

所述晶圓對位承載模塊包含：多個晶圓夾持臂組、以及一第一承載座；所述多個晶圓夾持臂組以間隔方式設置于所述第一承載座上，且每一個晶圓夾持臂組可夾持或釋放一晶圓；

所述擾流夾持模塊包含：多個擾流夾持板、以及一第二承載座，所述多個擾流夾持板以間隔方式設置于所述第二承載座上，每個所述擾流夾持板上設置有多個鏤空窗，以供一液體在所述鏤空窗間流動，所述擾流夾持模塊設置于所述去膜槽內；

所述機械運送手臂用于將整個晶圓對位承載模塊運送進入所述去膜槽，并將被晶圓對位承載模塊夾持的晶圓置放至所述擾流夾持模塊，改由所述擾流夾持模塊的多個擾流夾持板分別夾持各晶圓；并在完成去膜后，將整個晶圓對位承載模塊運送進入所述去膜槽內，將已完成去膜的晶圓重新夾持，再將整個晶圓對位承載模塊移出去膜槽。

可選地，所述晶圓在所述去膜槽內與一光阻去除劑作用完成去膜。

可選地，所述擾流夾持模塊連接至一動力機構，所述動力機構可將所述擾流夾持模塊移動。

可選地，所述擾流夾持模塊的移動方式可為規律式移動。

可選地，所述擾流夾持模塊的移動方式可為非規律式移動。

可選地，所述擾流夾持模塊的每個擾流夾持板上設置至少三個夾持接觸點，挾持晶圓時，由所述夾持接觸點接觸所述晶圓的周緣。

可選地，每個所述晶圓夾持臂組包含兩個夾持臂，所述夾持臂具有彈性，且每個夾持臂上設置有至少兩個夾持接觸件；夾持晶圓時，由所述夾持接觸件接觸所述晶圓的周緣。

可選地，所述夾持臂為一曲線狀彈力片。

附圖說明

圖1a-圖1c為現有的晶圓去膜方式的示意圖；

圖2a-圖2b所示為本實用新型的一種擾流式晶圓去膜裝置的結構示意圖；