[實用新型]一種深紫外發光二極管芯片有效
| 申請號: | 201822032512.2 | 申請日: | 2018-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN209045556U | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 徐盛海;劉源;陳長清;戴江南 | 申請(專利權)人: | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司: | 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黃君軍 |
| 地址: | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新區鳳凰*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 子芯片 鋁層 深紫外發光二極管 氮化鋁緩沖層 隔離槽 襯底 多量子阱有源層 形貌 本實用新型 大小相等 電流擴展 橫向縱向 間隔距離 矩陣方式 外側凹槽 依次層疊 外延片 延伸 導出 結溫 金屬 分割 | ||
本實用新型提供了一種深紫外發光二極管芯片,包括多個子芯片,每個所述子芯片的大小相等,且所述子芯片間橫向縱向間隔距離相同,每一所述子芯片形貌為圓形,直徑為20?100um,每個所述子芯片包括襯底,依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵鋁層、多量子阱有源層和P型氮化鎵鋁層,所述多個子芯片呈矩陣方式分布在芯片的N型氮化鎵鋁層上,所述芯片上設有凹槽,所述凹槽從P型氮化鎵鋁層延伸至所述N型氮化鎵鋁層,每顆芯片最外側凹槽內設有將外延片分割成多個芯片的隔離槽,所述隔離槽從N型氮化鎵鋁層延伸至氮化鋁緩沖層;該實用新型結溫分布均勻,且通過大占比的金屬面積有效的提高了電流擴展和熱導出能力。
技術領域
本實用新型涉及電子電器技術領域,特別涉及一種深紫外發光二極管芯片。
背景技術
深紫外LED憑借節能,無毒無污染,體積小,僅在殺菌消毒應用都具有重多潛在市場應有價值和前景。市場應用有:加濕器、空氣凈化器、制冰箱、智能馬桶、食物保鮮盒、商用空調、奶瓶消毒器、寵物滅菌直飲瓶、智能垃圾桶、車載空調、掛式空調、冰箱、洗衣機、便攜式滅菌器、廚具智能消毒柜等等。然而對于深紫外LED芯片而言,目前的技術瓶頸主要是因其外延材料特殊性,電光轉換效率很低,芯片結溫高,使用壽命短。對于波長低于280nm的深紫外LED芯片,目前老化壽命普遍不超過2000小時,無法滿足于未來中高端的市場應用需求。如何設計一種提高深紫外LED壽命的芯片成為亟待解決的問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術之缺陷,提供了一種深紫外發光二極管芯片,將現有技術的單個發光產熱區分割成多個矩陣分布的區域,有利于芯片發光產熱均勻,通過大占比的金屬面積有效的提高了電流擴展和熱導出能力,使得芯片發光區域產生均勻性熱量,從而解決了深紫外LED芯片的老化壽命短的問題。
本實用新型是這樣實現的:
本實用新型提供一種深紫外發光二極管芯片,所述深紫外發光二極管芯片包括多個子芯片,每個所述子芯片的大小相等,且所述子芯片間橫向縱向間隔距離相同,所述子芯片形貌為圓形,直徑為20-100um,每個所述子芯片包括襯底,以及外延片,所述外延片包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵鋁層、多量子阱有源層和P型氮化鎵鋁層,所述多個子芯片呈矩陣方式分布在芯片的N型氮化鎵鋁層上;
所述芯片上設有凹槽,所述凹槽從P型氮化鎵鋁層延伸至所述N型氮化鎵鋁層,所述芯片最外側的凹槽內設有將外延片分割成多個子芯片的隔離槽,所述隔離槽從N型氮化鎵鋁層延伸至氮化鋁緩沖層;
所述P型氮化鎵鋁層上蒸鍍有一次P電極,所述凹槽處的N型氮化鎵鋁層上蒸鍍有一次N電極,所述隔離槽、一次P電極、一次N電極、凹槽的側壁上均設有一次絕緣層,所述一次絕緣層在所述一次P電極上設有一次P電極開孔,所述一次絕緣層在所述一次N電極上設有一次N電極開孔,所述一次P電極開孔上設有二次P電極,所述一次N電極開孔上設有二次N電極,所述二次P電極與一次P電極聯通,所述二次N電極與一次N電極聯通;
所述一次絕緣層、二次P電極、二次N電極上均設有二次絕緣層,所述二次絕緣層在所述二次P電極上設有二次P電極開孔,所述二次絕緣層在所述二次N電極上設有二次N電極開孔,所述二次P電極開孔上設有三次P電極焊盤,所述二次N電極開孔上設有三次N電極焊盤,所述三次P電極焊盤與二次P電極聯通,所述三次N電極焊盤與二次N電極聯通。
本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型提供的一種深紫外發光二極管芯片,子芯片為共用芯片N電極的獨立的孤島,子芯片的大小一致且分布均勻故本芯片自身結溫分布均勻;為了使芯片上產熱區進一步分布均勻,子芯片為圓形設計,圓形設計更有利子芯片外圍電流的均勻注入。且通過大占比的金屬面積(共用一次N電極)有效的提高了電流擴展和熱導出能力,本實用新型與現有同尺寸芯片相比結溫分布均勻,相比現有同尺寸芯片最高溫區域低于30%;本實用新型有效提高了紫外倒裝LED芯片的發光與散熱性能,降低了芯片電壓,增強了芯片的使用可靠性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





