[實用新型]一種深紫外發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201822032512.2
• 申請日: 2018-12-05
• 公開（公告）號: CN209045556U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 徐盛海;劉源;陳長清;戴江南
• 申請（專利權）人: 湖北深紫科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/20
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 黃君軍

1.一種深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述深紫外發光二極管芯片包括多個子芯片，每個所述子芯片的大小相等，且所述子芯片間橫向縱向間隔距離相同，每一所述子芯片形貌為圓形，直徑為20-100um，每個所述子芯片包括襯底，以及外延片，所述外延片包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵鋁層、多量子阱有源層和P型氮化鎵鋁層，所述多個子芯片呈矩陣方式分布在芯片的N型氮化鎵鋁層上；

所述芯片上設有凹槽，所述凹槽從P型氮化鎵鋁層延伸至所述N型氮化鎵鋁層，所述芯片最外側的凹槽內設有將外延片分割成多個子芯片的隔離槽，所述隔離槽從N型氮化鎵鋁層延伸至氮化鋁緩沖層；

所述P型氮化鎵鋁層上蒸鍍有一次P電極，所述凹槽處的N型氮化鎵鋁層上蒸鍍有一次N電極，所述隔離槽、一次P電極、一次N電極、凹槽的側壁上均設有一次絕緣層，所述一次絕緣層在所述一次P電極上設有一次P電極開孔，所述一次絕緣層在所述一次N電極上設有一次N電極開孔，所述一次P電極開孔上設有二次P電極，所述一次N電極開孔上設有二次N電極，所述二次P電極與一次P電極聯通，所述二次N電極與一次N電極聯通；

所述一次絕緣層、二次P電極、二次N電極上均設有二次絕緣層，所述二次絕緣層在所述二次P電極上設有二次P電極開孔，所述二次絕緣層在所述二次N電極上設有二次N電極開孔，所述二次P電極開孔上設有三次P電極焊盤，所述二次N電極開孔上設有三次N電極焊盤，所述三次P電極焊盤與二次P電極聯通，所述三次N電極焊盤與二次N電極聯通。

2.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，子芯片顆數大于等于3顆；相鄰兩個子芯片的距離大于30um；所述子芯片區域上為各子芯片獨立的P電極，所述子芯片的P電極面積其占比子芯片面積大于90％，所述一次N電極面積占N型區域面積的90％及以上。

3.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述隔離槽的角度在60°至75°，所述隔離槽包括上、下、左、右側，其中上側、左側、右側均是直線型邊緣，下側是波浪形標識邊緣。

4.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述一次N電極圖形呈蜂窩狀，所述一次N電極材料為AL/Ti/Au，且AL金屬前有一層Cr或Ti薄膜作粘附層。

5.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述一次P電極材料為Ni/Au。

6.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述二次N電極、二次P電極材料為Ti或Cr/AL或Au/Ti或Cr。

7.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管芯片，其特征在于，所述三次N電極焊盤和三次P電極焊盤對稱分布，其中所述三次N電極焊盤內邊緣有凹槽開口，所述三次N電極焊盤和三次P電極焊盤的厚度為1um～5um，所述三次N電極焊盤和三次P電極焊盤之間間隔大于等于90um。