[實用新型]一種集成電路

有效

• 申請號: 201822024731.6
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN209471957U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: A·薩拉菲亞諾斯;A·馬扎基
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/00;G01R31/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張曦

本實用新型公開的實施例提供了一種集成電路。半導體襯底包括掩埋半導體層和半導體阱。一種用于檢測半導體襯底經由其背面的可能減薄的器件被形成在半導體阱上和半導體阱中。該器件是包括輸入端子和輸出端子的非反相緩沖器，該器件在供應端子與參考端子之間被供電，其中掩埋半導體層提供供應端子。控制電路向輸入端子遞送處于第一狀態的輸入信號，并且如果響應于輸入信號處于與第一狀態不同的第二狀態，信號在輸出端子處被生成，則輸出指示檢測到襯底的減薄的控制信號。

優先權聲明

本申請要求2017年12月5日提交的法國專利申請No.1761625 的優先權權益，該專利申請的內容據此在法律允許的最大范圍內以其整體通過引用被并入。

技術領域

實施方式和實施例的模式涉及集成電路，并且更特別地涉及檢測集成電路的襯底從其背面的可能減薄。

背景技術

集成電路，特別是被提供有包含敏感信息的存儲器的那些集成電路，必須盡可能地受保護而免于攻擊，特別是旨在揭露所存儲的數據的那些攻擊。

可能的攻擊可以使用激光束經由集成電路的背面而被執行。

當集成電路的襯底被攻擊者從其背面減薄，諸如，以盡可能地接近集成電路的被制造在其正面的組件時，這種攻擊的有效性提高。集成電路的背面的減薄可以例如使用聚焦離子束(FIB)和/或使用拋光 /磨損步驟而發生。

存在這樣的手段，其使得有可能檢測襯底經由其背面的減薄。然而，這些手段有時具有低集成水平，并且有時可能擾亂位于附近的組件的操作。

這些已有的手段可以例如使用隨著襯底的減薄而變化的電阻。然而，這種類型的解決方案可能是錯誤的來源，特別是對于具有可變溫度的集成電路，即使當不存在減薄時其也改變電阻值。

此外，已有器件有可能在檢測之前被攻擊者修改，諸如以篡改其結果，例如通過強制輸出信號到指示檢測不存在的狀態。

因此，根據實施例，提出了一種器件，其使得有可能可靠地檢測襯底經由其背面的減薄，該器件具有減少的空間要求。

實用新型內容

根據一個方面，提出了一種包括半導體襯底的集成電路，被制造在掩埋半導體層之上并且包括被配置為接收供應電壓的供應端子和被配置為接收參考電壓的參考端子；以及用于檢測襯底經由其背面的可能減薄的至少一個器件，該至少一個器件包括：非反相緩沖器，非反相緩沖器包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管是互補的并且串聯耦合在供應端子與參考端子之間；包括兩個晶體管共同的電極的輸出端子和輸入端子；包括供應端子的掩埋半導體層，該集成電路包括控制電路，控制電路被配置為生成處于第一狀態的輸入信號，在處于第一狀態的輸入信號存在并且在襯底的減薄不存在的情況下，非反相緩沖器適于變換到第一配置，在第一配置中，第一MOS晶體管被配置為授權具有第一狀態的輸出信號在輸出端子上的遞送，并且在第一配置中，第二MOS晶體管被關斷，并且控制電路此外被配置為如果輸出端子上的信號處于與第一狀態不同的狀態，則生成與襯底的減薄相對應的控制信號。

在襯底減薄的情況下，包括供應端子的半導體層被破壞并且非反相緩沖器不再由供應電壓供電。

在其輸入端子上的高狀態的傳輸期間，它可能不再在其輸出端子上傳輸高狀態，因為該高狀態常規地與輸出端子到供應端子的電耦合相對應。

非反相緩沖器的使用，使得有可能具有包括簡單部件的檢測器件并且具有減少的空間要求。

根據實施例，控制電路可以被配置為遞送處于第二狀態的輸入信號，在處于其第二狀態的輸入信號存在的情況下，非反相緩沖器然后適于變換到器件的第二配置，在該配置中，第一MOS晶體管授權具有第二狀態的信號在輸出端子上的遞送，以及如果由輸出端子遞送的信號處于第一狀態，則用于生成第二控制信號。