[實用新型]蝕刻裝置有效
| 申請號: | 201822018495.7 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN209133470U | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | 薛強;麥永業;劉世振;劉家樺;葉日銓 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 盤蓋 外框 蝕刻裝置 本實用新型 橫梁 取放 升降機 半導體制造技術 安全隱患 連接組件 升降運動 豎直 合格率 | ||
1.一種蝕刻裝置,其特征在于,包括:
盤蓋;
盤蓋外框,位于所述盤蓋上方,至少一橫梁固定于所述盤蓋外框;
連接組件,連接所述橫梁與所述盤蓋;
升降機,連接所述盤蓋外框,用于控制所述盤蓋外框沿豎直方向進行升降運動。
2.根據權利要求1所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述盤蓋側壁表面具有多個對稱分布的側邊槽,所述連接組件的一端卡固于所述側邊槽內、另一端與所述橫梁連接。
3.根據權利要求2所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述連接組件包括一個固定環以及與多個側邊槽一一對應的多個卡頭;所述卡頭的兩端分別與所述側邊槽、所述固定環卡合;所述固定環置于所述盤蓋表面,并通過線纜與所述橫梁連接。
4.根據權利要求3所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述固定環中設置有多個對稱分布的第一通孔;至少一橫梁包括兩條平行設置的橫梁,每一所述橫梁中具有若干沿所述橫梁的軸向分布的第二通孔;所述線纜的一端通過所述第一通孔與所述固定環連接、另一端通過所述第二通孔與所述橫梁連接。
5.根據權利要求4所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述固定環中設置有四個對稱分布的第一通孔,每根所述橫梁中設置有兩個所述第二通孔。
6.根據權利要求3所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述固定環包括相對分布的第一表面和第二表面,所述第一表面與所述盤蓋的上表面接觸,所述第二表面上設置有與多個所述側邊槽一一對應的多個凹陷;所述卡頭通過所述凹陷與所述固定環卡合,所述固定環能夠圍繞其軸線轉動。
7.根據權利要求6所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述卡頭包括沿水平方向延伸的第一支架以及與所述第一支架垂直連接、且沿豎直方向延伸的第二支架;所述第一支架背離所述第二支架的末端設置有沿豎直方向延伸的第一凸塊,所述第二支架背離所述第一支架的末端設置有沿水平方向延伸的第二凸塊,所述第一支架與所述第二支架連接處的內側設置有第三凸塊,所述第三凸塊與所述第一凸塊之間具有第一卡槽,所述第三凸塊與所述第二凸塊之間具有第二卡槽,所述第一卡槽與所述第二卡槽垂直連通;所述第一凸塊用于與所述側邊槽卡合,所述第二凸塊能夠經所述凹陷滑入所述固定環的內圈,以連接所述盤蓋與所述固定環。
8.根據權利要求6所述的蝕刻裝置,其特征在于,多個側邊槽包括四個側邊槽。
9.根據權利要求8所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述側邊槽的寬度大于所述凹陷的寬度。
10.根據權利要求1所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述橫梁與所述盤蓋外框接觸的表面具有凹槽,所述凹槽用于與所述盤蓋外框卡合固定。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德淮半導體有限公司,未經德淮半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822018495.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





