[實(shí)用新型]半導(dǎo)體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822010766.4
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN209183546U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖東輝
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本實(shí)用新型公開一種半導(dǎo)體組件，包括基板；形成在基板上的多晶硅層，多晶硅層包括源極、通道及漏極，其中源極及漏極形成在多晶硅層的二側(cè)，形成在源極及漏極之間的通道；形成在多晶硅層上的柵極絕緣層；形成在柵極絕緣層上的柵極，且柵極形成在通道的正上方；形成在柵極上方且覆蓋柵極的內(nèi)層介電層，內(nèi)層介電層通過離子布植植入氫原子且經(jīng)高溫快速回火形成氫化的內(nèi)層介電層；穿過氫化的內(nèi)層介電層的上表面的金屬導(dǎo)線，且分別與源極及漏極接觸；以及覆蓋氫化的內(nèi)層介電層的鈍化層。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型是有關(guān)于一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，特別是有關(guān)于一種在低溫多晶硅制程中形成的半導(dǎo)體組件。

背景技術(shù)

在低溫多晶硅薄膜晶體管的半導(dǎo)體組件的制程中，非晶硅層形成后必須進(jìn)行高溫處理來去除氫原子，以避免后續(xù)制程中因?yàn)闅滏I斷裂而形成很多缺陷。由于這些缺陷大部粉起因于硅的斷鍵，因此利用氫來填補(bǔ)這些斷鍵，也就是所謂的氫化作用。然而在習(xí)知技術(shù)中，內(nèi)層介電層中的氫含量無法達(dá)到均一性，且高溫快速回火(rapid thermal anneal)的溫度均一性較差，且內(nèi)層介電層氫化的溫度與高溫快速回火使離子活化的溫度不相同，因此會(huì)造成氫化不足或氫化過度的情況發(fā)生。故，有必要提供一種改善方法以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體組件，其可以改善晶體管在低溫多晶硅的制程中氫化不足或氫化不均的缺陷。

本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一種以低溫多晶硅制程形成的薄膜晶體管的半導(dǎo)體組件。半導(dǎo)體組件包括基板；形成在基板上的多晶硅層，多晶硅層包括源極、通道及漏極，其中源極及漏極形成在多晶硅層的二側(cè)，形成在源極及漏極之間的通道；形成在多晶硅層上的柵極絕緣層；形成在柵極絕緣層上的柵極，且柵極形成在通道的正上方；形成在柵極上方且覆蓋柵極的內(nèi)層介電層，內(nèi)層介電層通過離子布植植入氫原子且經(jīng)高溫快速回火形成氫化的內(nèi)層介電層；穿過氫化的內(nèi)層介電層的上表面的金屬導(dǎo)線，且分別與源極及漏極接觸；以及覆蓋氫化的內(nèi)層介電層的鈍化層。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件還包括畫素電極。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件還包括形成在基板與多晶硅層之間的遮光層。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，多晶硅層包括氧化硅及氮化硅。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，離子布植植入氫原子還能進(jìn)一步植入氫原子到通道內(nèi)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制造流程圖；以及

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例具有低溫多晶硅薄膜晶體管的半導(dǎo)體組件的示意圖。

具體實(shí)施方式

為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文作詳細(xì)說明。

本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一種以低溫多晶硅(LTPS)制程形成的薄膜晶體管的半導(dǎo)體組件。半導(dǎo)體組件包括基板、形成在基板上的多晶硅層、形成在多晶硅層二側(cè)的源極及汲極、形成在源極及漏極之間的通道、形成在多晶硅層上的柵極絕緣層、形成在柵極絕緣層上的柵極、形成在柵極上方且覆蓋柵極的內(nèi)層介電層、穿過氫化的內(nèi)層介電層的上表面的金屬導(dǎo)線以及覆蓋氫化的內(nèi)層介電層的鈍化層。具體而言，柵極形成在通道的正上方、內(nèi)層介電層通過離子布植植入氫原子且經(jīng)高溫快速回火形成氫化的內(nèi)層介電層，以及穿過氫化的內(nèi)層介電層的上表面的金屬導(dǎo)線分別與源極及漏極接觸。在本實(shí)用新型的另外一實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件還包括畫素電極。

為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文配合所附圖式作詳細(xì)說明。