[實用新型]半導體組件

有效

• 申請號: 201822010766.4
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN209183546U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 肖東輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種半導體組件，其特征在于，包括：

基板；

多晶硅層，其中所述多晶硅層形成在所述基板上，所述多晶硅層包括源極、通道及漏極，所述源極及所述漏極形成在所述多晶硅層的二側，所述通道形成在所述源極及所述漏極之間；

柵極絕緣層，其中所述柵極絕緣層形成在所述多晶硅層上；

柵極，其中所述柵極形成在所述柵極絕緣層上，且所述柵極形成在所述通道的正上方；

內層介電層，其中所述內層介電層形成在所述柵極上方且覆蓋所述柵極，所述內層介電層通過離子布植植入氫原子且經高溫快速回火形成氫化的內層介電層；

金屬導線，其中所述金屬導線穿過所述氫化的內層介電層的上表面，且分別與所述源極及所述漏極接觸；以及

鈍化層，其中所述鈍化層覆蓋所述氫化的內層介電層。

2.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，還包括畫素電極。

3.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，還包括形成在所述基板與所述多晶硅層之間的遮光層。

4.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述多晶硅層包括氧化硅及氮化硅。

5.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述離子布植植入氫原子還能進一步植入氫原子到所述通道內。