[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821992853.8
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN209401631U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森川直樹
• 申請（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置提高了可靠性。包括：溝道截?cái)嚯姌O(129)，其配置在襯底的終端區(qū)(400)；第一電極(127)，其與第二半導(dǎo)體區(qū)(109)電連接；絕緣膜(115)，其配置在溝道截?cái)嚯姌O(129)與第一電極(127)之間的終端區(qū)(400)上；多個(gè)第一導(dǎo)電體部(121)，它們配置在絕緣膜上；多個(gè)第二導(dǎo)電體部(125)，它們在第一導(dǎo)電體部(121)上從第一導(dǎo)電體部(121)分離而配置。第一電極(127)側(cè)的第一導(dǎo)電體部(121)與第二導(dǎo)電體部(125)在高度方向上的重疊部分的寬度大于溝道截?cái)嚯姌O側(cè)的第一導(dǎo)電體部(121)與第二導(dǎo)電體部(125)在高度方向上的重疊部分的寬度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體裝置，特別是，涉及提高了可靠性的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1的圖1中公開了在外周部6具備溝槽26并實(shí)現(xiàn)高耐壓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)。在此，多個(gè)第二溝槽導(dǎo)電體27通過電容耦合導(dǎo)電體層29而相互耦合，當(dāng)改變該電容耦合導(dǎo)電體層29的位置、尺寸時(shí)，第二溝槽導(dǎo)電體27的電位發(fā)生變化。因?yàn)樵O(shè)有可調(diào)整尺寸及位置的電容耦合導(dǎo)電體層29，因此能夠獲得用于提高耐壓的理想的耗盡層及電場分布，容易進(jìn)行 IGBT的設(shè)計(jì)及制造(該文獻(xiàn)的第0043段)。

專利文獻(xiàn)1：日本專利公開公報(bào)特開2007-59766

但是，在專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體裝置的情況下，有時(shí)從襯底的外部向襯底內(nèi)部侵入離子性物質(zhì)等。該離子性的物質(zhì)等的侵入成為半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作不良、故障的原因，有時(shí)導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置缺乏可靠性。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請的實(shí)用新型是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種提高了可靠性的半導(dǎo)體裝置。

為了解決上述課題，1個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括單元區(qū)和配置在所述單元區(qū)的周圍的終端區(qū)，該半導(dǎo)體裝置的特征在于，其包括：襯底；第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊乃鰡卧獏^(qū)；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊乃鰡卧獏^(qū)；溝道截?cái)嚯姌O，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊慕K端區(qū)；第一電極，其配置在所述襯底的第一表面上，且與所述第二半導(dǎo)體區(qū)電連接；絕緣膜，其配置在所述溝道截?cái)嚯姌O與所述第一電極之間的所述襯底的終端區(qū)上；多個(gè)第一導(dǎo)電體部，它們配置在所述絕緣膜上；多個(gè)第二導(dǎo)電體部，它們在所述第一導(dǎo)電體部上從所述第一導(dǎo)電體部分離而配置；第二電極，其配置在所述襯底的第二表面?zhèn)龋龅谝浑姌O側(cè)的所述第一導(dǎo)電體部與所述第二導(dǎo)電體部在高度方向上的重疊部分的寬度大于所述溝道截?cái)嚯姌O側(cè)的所述第一導(dǎo)電體部與所述第二導(dǎo)電體部在高度方向上的重疊部分的寬度。

實(shí)用新型效果

根據(jù)本申請的實(shí)用新型，提供一種提高了可靠性的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

圖1是示出1個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式的俯視圖。

圖2是示出沿著圖1的II-II線的1個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體裝置1的實(shí)施方式的截面圖。

圖3是將圖2的一部分放大的截面圖。

圖4是示出沿著圖1的II-II線的1個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體裝置2的實(shí)施方式的截面圖。

圖5是示出終端區(qū)中的電位分布的圖。

圖6是示出終端區(qū)中的電位分布的圖。

標(biāo)號(hào)說明

1、2：半導(dǎo)體裝置

100、200：襯底

101、201：集電極

103、203：集電極層

105、205：電場阻斷(Field Stop)層