[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821992853.8
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN209401631U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 森川直樹
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

1.一種半導體裝置，其包括單元區(qū)和配置在所述單元區(qū)的周圍的終端區(qū)，其特征在于，該半導體裝置包括：

襯底；

第一導電型的第一半導體區(qū)，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊乃鰡卧獏^(qū)；

第二導電型的第二半導體區(qū)，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊乃鰡卧獏^(qū)；

溝道截斷電極，其配置在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊慕K端區(qū)；

第一電極，其配置在所述襯底的第一表面上，且與所述第二半導體區(qū)電連接；

絕緣膜，其配置在所述溝道截斷電極與所述第一電極之間的所述襯底的終端區(qū)上；

多個第一導電體部，它們配置在所述絕緣膜內部；

多個第二導電體部，它們配置在所述絕緣膜上；以及

第二電極，其配置在所述襯底的第二表面?zhèn)龋?/p>

所述第一電極側的所述第一導電體部與所述第二導電體部在高度方向上的重疊部分的寬度大于所述溝道截斷電極側的所述第一導電體部與所述第二導電體部在高度方向上的重疊部分的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述襯底與第一導電體部之間的絕緣膜在高度方向上的尺寸大于所述第一導電體部與所述第二導電體部之間的絕緣膜在高度方向上的尺寸。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述襯底的第一表面?zhèn)鹊乃鼋K端區(qū)中包括第二導電型的降低表面電場區(qū)，該第二導電型的降低表面電場區(qū)與所述第二半導體區(qū)電連接，且雜質濃度比所述第一半導體區(qū)低，

在所述降低表面電場區(qū)的上方，所述多個第二導電體部各自在長度方向上的尺寸隨著從與所述第一電極電連接的第二導電體部起靠近所述溝道截斷電極側而逐漸變短。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述降低表面電場區(qū)的上方，所述多個第一導電體部各自在長度方向上的尺寸隨著從配置于所述第一電極附近的第一導電體部起靠近所述溝道截斷電極側而逐漸變短。

5.根據權利要求3或4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個第二導電體部中的至少一個第二導電體部與所述第一電極電連接，

所述多個第二導電體部中的至少一個第二導電體部與所述溝道截斷電極電連接，

與所述第一電極電連接的所述第二導電體部的尺寸比與所述溝道截斷電極電連接的所述第二導電體部的尺寸長。

6.根據權利要求3或4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述降低表面電場區(qū)上的所述多個第一導電體部與所述多個第二導電體部在高度方向上的重疊量從配置于所述第一電極附近的第一導電體部到所述降低表面電場區(qū)的端部逐漸變短。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述降低表面電場區(qū)上以外的所述多個第一導電體部與所述多個第二導電體部在高度方向上的重疊量大致相等。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

與所述第一電極電連接的所述第二導電體部的端部比所述第一電極的端部離所述單元區(qū)更遠。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個第一導電體以p型多晶硅為主成分，所述多個第二導電體以n型多晶硅為主成分。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個第一導電體的雜質濃度比所述多個第二導電體高。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還包括第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜，該第一層間絕緣膜覆蓋所述第二導電體部，該第二層間絕緣膜在所述溝道截斷區(qū)上被所述溝道截斷電極覆蓋，

所述溝道截斷電極和與所述溝道截斷電極電連接的所述第二導電體部經由所述第一層間絕緣膜與所述第二層間絕緣膜之間的導體而物理接觸。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具備第一層間絕緣膜和第三層間絕緣膜，該第一層間絕緣膜覆蓋所述第二導電體部，該第三層間絕緣膜在所述第二半導體區(qū)上被所述第一電極覆蓋，

所述第一電極和與所述第一電極電連接的第二導電體部經由所述第一層間絕緣膜與所述第三層間絕緣膜之間的導體而物理接觸。