[實用新型]一種垂直腔面發(fā)射激光器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821979422.8
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN209150487U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 王兵
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括第二反射層、發(fā)光結構、第一反射層、第一鍵合層、第二鍵合層、第二襯底、第一絕緣層、第三電極、第四電極、第二絕緣層、第一焊盤和第四焊盤。本實用新型通過第三電極和第四電極與第一電極和第二電極導電連接，以將第一電極和第二電極引伸出來，再與第一焊盤和第二焊盤連接，因此通過焊盤可以直接將激光器焊接在PCB板上，不需要打線，此外，還通過焊盤將激光器的熱量傳導到PCB板上，從而起到良好的散熱效果。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器。

背景技術

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL)是一種半導體，其激光垂直于頂面射出。

垂直腔面發(fā)射激光器是近幾年應用較廣的一種新型光源，具有如下優(yōu)點：(1)諧振腔小，易產(chǎn)生微腔效應，低閾值激射；(2)諧振腔比較短，因而縱模間隔很大，動態(tài)調(diào)制頻率高；(3)有源區(qū)截面呈圓對稱型，光束方向性好，易耦合；(4)出光方向垂直于襯底平面，適合于并行光互連和信息處理；(5)器件體積小，可高密度地形成二維陣列激光器；(6)單片外延生長形成，便于對生長材料的質(zhì)量檢查與篩選，成品率高。

現(xiàn)有垂直腔面發(fā)射激光器的封裝工藝與LED封裝工藝相近，都需要使用打線工藝，工藝繁瑣，且成品通過金線散熱效果差，使激光器的使用功率受限。

本實用新型提出一種新的垂直腔面發(fā)射激光器制作工藝，可直接焊接在PCB板上，封裝工藝簡單，通過焊盤散熱，效果更好，可提升激光器使用功率。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種垂直腔面發(fā)射激光器，不需要打線，可直接焊接在PCB板上，且散熱效果好。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：

第二反射層；

設置在第二反射層上的發(fā)光結構，所述發(fā)光結構包括中心結構、裸露區(qū)域和第一電極，所述中心結構包括依次設置的第一半導體層、有源層、第二半導體層、電流阻擋層、透明導電層和第二電極，所述裸露區(qū)域刻蝕至第一半導體層，所述第一電極設置在第一半導體層上并圍繞在中心結構的四周，所述第一電極與中心結構相互絕緣；

依次設置在發(fā)光結構上的第一反射層、第一鍵合層、第二鍵合層、第二襯底和第一絕緣層，且所述第一絕緣層延伸至第一反射層上；

設置在第一絕緣層上的第三電極和第四電極，所述第三電極貫穿第一絕緣層并延伸至第一電極上，所述第四電極貫穿第一絕緣層并延伸至第二電極上，第三電極和第四電極絕緣；

設置在第三電極、第四電極和第二襯底上的第二絕緣層；

設置在第二絕緣層上的第一焊盤和第二焊盤，第一焊盤延與第三電極連接，第二焊盤與第四電極連接，第一焊盤和第二焊盤絕緣。

作為上述方案的改進，所述第二反射層的反射率低于第一反射層的反射率。

作為上述方案的改進，所述第二反射層的反射率比第一反射層的反射率低1-5％。

作為上述方案的改進，所述第一反射層和第二反射層由反射絕緣材料制成。

作為上述方案的改進，所述第一電極、第二電極、第三電極和第四電極均由導電金屬制成。

作為上述方案的改進，所述第一焊盤和第二焊盤均由Ni、Au、Sn或AuSn制成。

實施本實用新型，具有如下有益效果：