[實用新型]一種半導(dǎo)體制造設(shè)備及用于該設(shè)備腔室的閥門

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821953224.4
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN209458401U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: F16J15/10
• 分類號: F16J15/10;H01L21/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的腔室的閥門，其特征在于，所述閥門包括門體及設(shè)置在所述門體上的密封圈，所述門體的邊緣具有凹槽，所述凹槽的底部寬度大于其開口部的寬度；所述密封圈設(shè)置在所述門體的凹槽中，所述密封圈的橫截面具有使其與所述凹槽緊密配合的榫型結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥門，其特征在于，所述密封圈包括密封本體及突出部，所述密封本體的橫截面包括底部寬度大于上部寬度的梯形結(jié)構(gòu)，所述突出部由所述密封本體的上部延伸形成，并且所述突出部的頂部為弧形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閥門，其特征在于，所述密封圈的密封本體的橫截面的底部具有圓角。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閥門，其特征在于，所述密封圈的密封本體的底部寬度L介于3-6mm，高度H₁介于3-6mm，所述突出部的高度H₂介于0.8-1.2mm，所述密封圈由密封本體的底部向突出部的頂部弧形延伸時向內(nèi)縮進的距離ΔL介于0.4-0.6mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥門，其特征在于，所述密封圈由全氟化橡膠制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的閥門，其特征在于，所述密封圈的耐熱溫度介于280～320℃，硬度介于70～85HA，抗拉強度介于16～20MPa。

7.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述制造設(shè)備包括放置晶圓的狹縫型腔體，所述腔體具有對其進行密封的可開關(guān)的閥門，所述閥門包括門體及設(shè)置在所述門體上的密封圈，所述門體的邊緣具有凹槽，所述凹槽的底部寬度大于其開口部的寬度；所述密封圈設(shè)置在所述門體的凹槽中，所述密封圈的橫截面具有使其與所述凹槽緊密配合的榫型結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述密封圈包括密封本體及突出部，所述密封本體的橫截面包括底部寬度大于上部寬度的梯形結(jié)構(gòu)，所述突出部由所述密封本體的上部延伸形成，并且所述突出部的頂部為弧形。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述密封圈的密封本體的橫截面的底部具有圓角。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述密封圈的密封本體的底部寬度L介于3-6mm，高度H₁介于3-6mm，所述突出部的高度H₂介于0.8-1.2mm，所述密封圈由密封本體的底部向突出部的頂部弧形延伸時向內(nèi)縮進距離ΔL介于0.4-0.6mm。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述密封圈由全氟化橡膠制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求7-11中任一項所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其特征在于，所述密封圈的耐熱溫度介于280～320℃，硬度介于70～85HA，抗拉強度介于16～20MPa。