[實用新型]一種低雜訊降頻器電路和低雜訊降頻器

有效

• 申請號: 201821943899.0
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN208820762U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 袁萍;洪加亮
• 申請（專利權）人: 深圳市平方兆赫科技有限公司
• 主分類號: H04B1/10
• 分類號: H04B1/10
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 廖苑濱

本實用新型公開了一種低雜訊降頻器電路，包括依次連接的射頻信號接收模塊、射頻信號放大模塊、射頻信號濾波模塊、PLL處理芯片、中頻信號輸出模塊；所述PLL處理芯片的輸入端還連接有時鐘晶振模塊，所述降頻器電路還包括供電電路模塊；所述射頻信號濾波模塊為多階發夾式帶通濾波器。本實用新型還公開一種低雜訊降頻器，所述降頻器包括轉換饋電部分、傳輸部分、和喇叭輻射部分；所述喇叭輻射部分具有接收腔，所述接收腔的內壁上具有多個齒狀結構；所述轉換饋電部分上還設置有裝配結構，所述裝配結構包括裝配腔以及位于裝配腔內的線路板；所述線路板上設置有如上所述的低雜訊降頻器電路。

技術領域

本實用新型涉及通訊用降頻器領域，特別是涉及一種低雜訊降頻器電路和低雜訊降頻器。

背景技術

因市場客戶的競爭力需求，以往以分離元件（DRO方案）設計低雜訊降頻器的產品已無法滿足生產成本競爭優勢；且采用分離元件的產品穩定性受環境影響較大。隨著衛星產品的廣泛使用，低雜訊降頻器設計在PLL（鎖相環）集成處理芯片方案上的技術也越來越成熟，且產品市場認可度也在逐步提升；但因設計方案延用分離元件DRO（DRO方案）的設計匹配模式，產品在設計成本上面并未完全發揮出相應的優勢；同時產品在性能延伸上面,存在一定的可調局限性。

實用新型內容

為了解決現有技術存在的上述問題，合理地利用現有集成處理芯片的特性，在不影響產品功能及特性參數的情況下，結合PLL處理芯片方案匹配設計出一款PCB集成度高，性能優良，且成本精減的低雜訊降頻器電路以及低雜訊降頻器。

本實用新型公開一種低雜訊降頻器電路，包括依次連接的射頻信號接收模塊、射頻信號放大模塊、射頻信號濾波模塊、PLL處理芯片、中頻信號輸出模塊；所述PLL處理芯片的輸入端還連接有時鐘晶振模塊，所述降頻器電路還包括供電電路模塊；所述射頻信號濾波模塊為多階發夾式帶通濾波器。

本實用新型采用PLL集成處理芯片，多階發夾式帶通濾波器又稱為發夾N型微帶帶通濾波器：由射頻信號接收模塊所接收到的射頻信號由各匹配的多階發夾式帶通濾波器進行帶通頻率濾波處理，分別鏡像抑制雜波處理后，輸出所需要的射頻波段。發夾N型微帶帶通濾波器占用面積大，濾波效果好；傳統的雙向平行濾波器占用面積小，濾波效果沒有發夾N型微帶帶通濾波器好。

進一步的，所述射頻信號接收模塊包括水平極化天線和垂直極化天線；所述中頻信號輸出模塊具有中頻信號輸出模塊一和中頻信號輸出模塊二。

進一步的，所述中頻信號輸出模塊包括依次串聯的第一電容、第一電阻、第二電容，所述第二電容連接中頻信號輸出模塊的輸出端；所述第一電阻、第二電容之間還連接有第三電容，所述第三電容的第二端接地。

進一步的，所述第一電容為5.6pF、第一電阻為10R、第二電容為10pF，所述第三電容為0.5pF。

進一步的，所述射頻信號放大模塊包括與水平極化天線連接的第一放大器和第二放大器；與垂直極化天線連接的第三放大器和第四放大器。

進一步的，所述射頻信號濾波模塊包括與第二放大器連接的第一發夾N型微帶帶通濾波器，以及與第四放大器連接的第二發夾N型微帶帶通濾波器。

進一步的，所述供電電路模塊包括分別與中頻信號輸出模塊一和中頻信號輸出模塊二連接的第一穩壓管和第二穩壓管；所述供電電路模塊還包括復式二合一單向導通電路，所述復式二合一單向導通電路的輸入端分別連接第一穩壓管和第二穩壓管，所述復式二合一單向導通電路的輸出端連接PLL處理芯片。

本實用新型還公開一種低雜訊降頻器，所述降頻器包括轉換饋電部分、傳輸部分、和喇叭輻射部分；所述喇叭輻射部分具有接收腔，所述接收腔的內壁上具有多個齒狀結構；所述轉換饋電部分上還設置有裝配結構，所述裝配結構包括裝配腔以及位于裝配腔內的線路板；所述線路板上設置有上述任一所述的低雜訊降頻器電路。