[實(shí)用新型]一種低雜訊降頻器電路和低雜訊降頻器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821943899.0
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN208820762U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁萍;洪加亮
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市平方兆赫科技有限公司
• 主分類號: H04B1/10
• 分類號: H04B1/10
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 廖苑濱

1.一種低雜訊降頻器電路，包括依次連接的射頻信號接收模塊、射頻信號放大模塊、射頻信號濾波模塊、PLL處理芯片、中頻信號輸出模塊；其特征在于，所述PLL處理芯片的輸入端還連接有時(shí)鐘晶振模塊，所述降頻器電路還包括供電電路模塊；所述射頻信號濾波模塊為多階發(fā)夾式帶通濾波器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述射頻信號接收模塊包括水平極化天線和垂直極化天線；所述中頻信號輸出模塊具有中頻信號輸出模塊一和中頻信號輸出模塊二。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述中頻信號輸出模塊包括依次串聯(lián)的第一電容、第一電阻、第二電容，所述第二電容的一端為中頻信號輸出模塊的輸出端；所述第一電阻、第二電容之間還連接有第三電容，所述第三電容的第二端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述第一電容為5.6pF、第一電阻為10R、第二電容為10pF，所述第三電容為0.5pF。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述射頻信號放大模塊包括與水平極化天線連接的第一放大器和第二放大器；與垂直極化天線連接的第三放大器和第四放大器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述射頻信號濾波模塊包括與第二放大器連接的第一多階發(fā)夾式帶通濾波器，以及與第四放大器連接的第二多階發(fā)夾式帶通濾波器。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低雜訊降頻器電路，其特征在于，所述供電電路模塊包括分別與中頻信號輸出模塊一和中頻信號輸出模塊二連接的第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管；所述供電電路模塊還包括復(fù)式二合一單向?qū)娐罚鰪?fù)式二合一單向?qū)娐返妮斎攵朔謩e連接第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管，所述復(fù)式二合一單向?qū)娐返妮敵龆诉B接PLL處理芯片。

8.一種低雜訊降頻器，所述降頻器包括轉(zhuǎn)換饋電部分、傳輸部分、和喇叭輻射部分；其特征在于，所述喇叭輻射部分具有接收腔，所述接收腔的內(nèi)壁上具有多個(gè)齒狀結(jié)構(gòu)；所述轉(zhuǎn)換饋電部分上還設(shè)置有裝配結(jié)構(gòu)，所述裝配結(jié)構(gòu)包括裝配腔以及位于裝配腔內(nèi)的線路板；所述線路板上設(shè)置有權(quán)利要求1-7中任一所述的低雜訊降頻器電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低雜訊降頻器，其特征在于，所述喇叭輻射部分為三階式階梯狀結(jié)構(gòu)；所述喇叭輻射部分具有中心軸線，所述多個(gè)齒狀結(jié)構(gòu)靠近中心軸線的側(cè)面為斜面；所述多個(gè)斜面構(gòu)成了喇叭狀輻射面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低雜訊降頻器，其特征在于，所述傳輸部分具有連接腔，所述接收腔與連接腔之間具有連接面，所述連接面與多個(gè)斜面連接。