[實用新型]超結MOSFET終端結構

有效

• 申請號: 201821941302.9
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN209071338U
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 陸懷谷
• 申請（專利權）人: 深圳市谷峰電子有限公司;香港谷峰半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種超結MOSFET終端結構，包括：N型重摻雜襯底(201)及形成于所述N型重摻雜襯底上的N型輕摻雜外延層(202)；所述的N型輕摻雜外延層(202)包括元胞區(Ⅰ)和包圍所述元胞區的終端區(Ⅱ)；所述的元胞區中形成有至少一個晶體管單元，所述的晶體管單元包括形成于所述N型輕摻雜外延層(202)中的一對元胞區P柱(203)；該一對元胞區P柱(203)的頂端分別連接一P型體區(205)，且該P型體區(205)位于所述N型輕摻雜外延層(202)內；在所述的一對P型體區(205)的表面形成有柵極結構；且該柵極結構位于一對元胞區P柱(203)之間；所述的終端區中形成有至少多個終端區P柱(204)和一個以上的終端區P型體區(206)；其特征在于：

所述的終端區P柱(204)的寬度等于所述元胞區P柱(203)寬度的一半，所述終端區P柱(204)的間距也是元胞區P柱(203)寬度的一半，所述的終端P型體區(206)的間距逐漸加大。

2.根據權利要求1所述的超結MOSFET終端結構，其特征在于：所述的終端區P柱(204)的深度范圍為30～60微米。

3.根據權利要求1所述的超結MOSFET終端結構，其特征在于：所述的元胞區P柱(203)和所述的終端區P柱(204)為P型單晶硅。

4.根據權利要求1至3任一項所述的超結MOSFET終端結構，其特征在于：所述的柵極結構包括形成于所述N型輕摻雜外延層表面的柵氧化層(207)及形成于所述柵氧化層表面的多晶硅柵極(208)。