[實用新型]烘干槽及濕法刻蝕機有效
| 申請號: | 201821916672.7 | 申請日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN208923046U | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 楊健;費正洪 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 224400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 風機 烘干 烘干槽 上滾輪 下滾輪 吹出 濕法刻蝕 槽體 本實用新型 產品合格率 方向移動 滾輪印 施力 承載 降級 驅動 | ||
本實用新型揭示了一種烘干槽,及包括該烘干槽的濕法刻蝕機,所述烘干槽包括槽體、設置在所述槽體中的用于承載硅片的下滾輪,所述下滾輪驅動所述硅片沿硅片前進方向移動,所述烘干槽還包括分別設置在所述下滾輪兩側的烘干上風機和烘干下風機,所述烘干上風機吹出的風直接吹向所述硅片。由于烘干上風機吹出的風直接吹向硅片,也就是說,烘干上風機與硅片之間沒有上滾輪以及其它部件,可以避免烘干上風機吹出的風經過上滾輪及其它部件后吹向硅片,從而避免上滾輪及其它部件對硅片施力而造成的滾輪印、碎片等不良降級,從而提高產品合格率。
技術領域
本實用新型涉及太陽能應用設備技術領域,特別涉及一種烘干槽,及包括該烘干槽的濕法刻蝕機。
背景技術
隨著世界范圍內能源危機的爆發,風壓和太陽能等可再生能源得到越來越廣泛的應用,從而帶動了可再生能源發電系統的蓬勃發展。在眾多的可再生能源中,太陽能分布較為廣泛,且從我國的地理分布情況來看,我國大部分地區的太陽能輻射量都比較豐富,因此,太陽能的開發和應用更為便捷。
光伏發電系統是人們利用太陽能的一種主要方式,其主要部件是太陽能電池。太陽能電池是由硅片經過表面制絨、擴散制結、刻蝕、沉積減反射膜、印刷燒結等工藝過程制備而成。其中,刻蝕工藝是太陽能電池片制造過程中的一個重要工序,目的是去除硅片下表面及四個側面的PN結,以達到上下表面絕緣的目的,同時去除上表面的磷硅玻璃層。
當前太陽能電池制造時常用的一種刻蝕方法是濕法刻蝕,通過化學試劑腐蝕掉硅片下表面及四個側面的PN結和磷硅玻璃層,濕法刻蝕機為太陽能電池濕法刻蝕的重要設備。
目前,所使用的濕法刻蝕機主要包括機體,所述機體上設置有用于輸送硅片的輸送滾輪,在輸送滾輪的下方沿硅片的移動方向依次設置有刻蝕槽、堿洗槽、清洗槽、烘干槽。請參見圖1,現有技術中,濕法刻蝕機臺的烘干槽,包括槽體、設置在槽體中的用于承載硅片200的下滾輪20,與下滾輪20間隔一定距離設置的上滾輪10,硅片200夾在上滾輪10和下滾輪20之間,下滾輪20驅動硅片200沿硅片前進方向移動,烘干槽還包括設置在上滾輪10上側的烘干上風機30、設置在下滾輪20下側的烘干下風機40,烘干上風機30和烘干下風機40的風向均垂直于硅片前進方向,當烘干槽運行時,硅片200的PN面均會受到上下風機的較大風壓,硅片200會大幅度抖動,烘干上風機30吹出的風經過上滾輪10吹向硅片200,上滾輪10會對硅片200施力而按壓硅片200,容易導致了滾輪印、碎片等不良降級。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種烘干槽,該烘干槽可以有效避免硅片在烘干槽抖動,減少滾輪印/碎片等不良降級。
為實現上述實用新型目的,本實用新型提供一種烘干槽,包括槽體、設置在所述槽體中的用于承載硅片的下滾輪,所述下滾輪驅動所述硅片沿硅片前進方向移動,所述烘干槽還包括分別設置在所述下滾輪兩側的烘干上風機和烘干下風機,其特征在于:所述烘干上風機吹出的風直接吹向所述硅片。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,所述烘干下風機吹出的風向相對所述硅片前進方向傾斜并與硅片前進方向相反。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,所述烘干下風機的吹出的風向與所述硅片前進方向的夾角在30度至45度之間。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,所述烘干下風機吹出的風向可以分解為第一風向和第二風向,所述第一風向垂直于所述硅片前進方向,所述第二風向與硅片前進方向相反。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,所述第二風向的風壓大于所述第一風向的風壓。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,所述烘干上風機吹出的風向垂直于所述硅片前進方向,所述第一風向與所述烘干上風機的風向相反,所述烘干上風機的風壓大于所述第一風向的風壓。
作為本實用新型一實施方式的進一步改進,沿靠近所述烘干上風機的方向,所述烘干下風機的出風口面積逐漸增大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





