[實用新型]烘干槽及濕法刻蝕機有效
| 申請號： | 201821916672.7 | 申請日： | 2018-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN208923046U | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 楊健;費正洪 | 申請（專利權）人： | 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 224400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 風機 烘干 烘干槽 上滾輪 下滾輪 吹出 濕法刻蝕 槽體 本實用新型 產品合格率 方向移動 滾輪印 施力 承載 降級 驅動 | ||
1.一種烘干槽，包括槽體、設置在所述槽體中的用于承載硅片的下滾輪，所述下滾輪驅動所述硅片沿硅片前進方向移動，所述烘干槽還包括分別設置在所述下滾輪兩側的烘干上風機和烘干下風機，其特征在于：所述烘干上風機吹出的風直接吹向所述硅片。
2.根據權利要求1所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下風機吹出的風向相對所述硅片前進方向傾斜并與硅片前進方向相反。
3.根據權利要求2所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下風機的吹出的風向與所述硅片前進方向的夾角在30度至45度之間。
4.根據權利要求2所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下風機吹出的風向可以分解為第一風向和第二風向，所述第一風向垂直于所述硅片前進方向，所述第二風向與硅片前進方向相反。
5.根據權利要求4所述的烘干槽，其特征在于：所述第二風向的風壓大于所述第一風向的風壓。
6.根據權利要求4所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上風機吹出的風向垂直于所述硅片前進方向，所述第一風向與所述烘干上風機的風向相反，所述烘干上風機的風壓大于所述第一風向的風壓。
7.根據權利要求2所述的烘干槽，其特征在于：沿靠近所述烘干上風機的方向，所述烘干下風機的出風口面積逐漸增大。
8.根據權利要求1所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上風機的風量大于所述烘干下風機的風量。
9.根據權利要求8所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上風機的數量大于所述烘干下風機的數量，所述烘干下風機設置在兩個烘干上風機之間。
10.一種濕法刻蝕機，其特征在于：所述濕法刻蝕機包括權利要求1至9任一所述的烘干槽。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
