[實用新型]一種高品質硅片清洗系統

有效

• 申請號: 201821903645.6
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN210187873U
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 王冬雪;高樹良;谷守偉;趙越;崔偉;侯建明;郭志榮;郭俊文
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環光伏材料有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B3/04;H01L21/67
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本實用新型提供一種高品質硅片清洗系統，包括第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、酸洗部和第二溢流清洗部，第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、酸洗部和第二溢流清洗部依次設置，通過移動抓取裝置連通。本實用新型的有益效果是大尺寸硅片清洗更加方便快捷，且硅片清洗效率高，采用預清洗、藥液清洗、溢流漂洗、藥液清洗、酸洗和溢流清洗，能夠有效去除硅片表面的雜質，提高硅片的表面清潔度。

技術領域

本實用新型屬于硅片生產技術領域，尤其是涉及一種高品質硅片清洗系統。

背景技術

單晶硅片向著大尺寸薄片化的方向發展，同時人們對單晶硅片本身的光電性能要求越來越高。硅片尺寸越來越大，目前清洗工藝條件下很難將硅片表明的雜質去除干凈，影響硅片的光電轉化效率。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型要解決的問題是提供一種高品質硅片清洗系統，尤其適合大尺寸硅片清洗時使用，采用清洗劑和堿液對硅片進行清洗，并進行酸洗，提升硅片的表面潔凈度，提供硅片的清洗效率。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種高品質硅片清洗系統，包括第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、酸洗部和第二溢流清洗部，第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、酸洗部和第二溢流清洗部依次設置，通過移動抓取裝置連通。

進一步的，還包括預清洗部和慢提拉部，預清洗部設于第一藥液清洗部之前，慢提拉部設于第二溢流清洗部之后。

進一步的，第一藥液清洗部包括第一超聲清洗藥液部、第二超聲清洗藥液部和超聲清洗部，第一超聲清洗藥液部、第二超聲清洗藥液部與超聲清洗部依次設置，第一超聲清洗藥液部與第二超聲清洗藥液部均設有清洗藥液溶液，超聲清洗部設有清洗劑溶液。

進一步的，清洗藥液溶液包括質量分數為1％-3％的清洗劑和2％-3％的氫氧化鈉。

進一步的，清洗劑溶液為1％-3％的清洗劑。

進一步的，第二藥液清洗部包括鼓泡清洗部，鼓泡清洗部設有雙氧水和氫氧化鉀溶液。

進一步的，雙氧水和氫氧化鉀溶液包括質量分數為20％-40％的雙氧水和質量分數為35％-55％的氫氧化鉀。

進一步的，雙氧水的溶度為5.5vol％-6.0vol％，氫氧化鉀的濃度為1.0vol％-1.5vol％。

進一步的，酸洗部包括超聲酸洗部，超聲酸洗部設有酸溶液，酸溶液為檸檬酸，檸檬酸的質量分數為3％-4％。

進一步的，第二溢流清洗部包括第一超聲溢流部、第二超聲溢流部和第三超聲溢流部，第一超聲溢流部、第二超聲溢流部和第三超聲溢流部依次設置，且第一超聲溢流部、第二超聲溢流部和第三超聲溢流部均設有純水。

本實用新型具有的優點和積極效果是：

1.由于采用上述技術方案，使得大尺寸硅片清洗更加方便快捷，且硅片清洗效率高，采用預清洗、藥液清洗、溢流漂洗、藥液清洗、酸洗和溢流清洗，能夠有效去除硅片表面的雜質，提高硅片的表面清潔度；

2.在第一次藥液清洗時，采用清洗劑和2％-3％的氫氧化鈉，加強堿的皂化作用，提升硅片表面潔凈度；

3.在第二次藥液清洗時，采用濃度為5.5％-6.0％的雙氧水和濃度為1.0vol％-1.5vol％的氫氧化鉀，增加對有機物的去除能力，并在硅片表面形成保護膜，提高硅片的清潔度，并對硅片的表面進行保護；

4.兩次藥液清洗后進行酸洗，中和硅片表面的堿，能夠有效的去除硅片表面的金屬離子殘留；