[實用新型]一種存儲芯片三維封裝結構有效
| 申請號： | 201821900587.1 | 申請日： | 2018-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN208904012U | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 金國慶;俞浩東;魯文鏵 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 背面腔體 凸點 外接焊盤 芯片正面 三維封裝結構 背面設置 存儲芯片 芯片焊盤 堆疊 嵌入 背面 本實用新型 電連接 焊球 外接 | ||
1.一種存儲芯片三維封裝結構，包括：
第一芯片，所述第一芯片正面的芯片焊盤上設置有第一芯片凸點；
第二芯片，所述第二芯片的背面設置有第一背面腔體，所述第二芯片正面的芯片焊盤上設置有第二芯片凸點，所述第一芯片的正面堆疊至所述第二芯片的背面，所述第一芯片凸點嵌入所述第一背面腔體；
第三芯片，所述第三芯片的背面設置有第二背面腔體，所述第三芯片正面設置有外接焊盤，所述第二芯片的正面堆疊至所述第三芯片的背面，所述第二芯片凸點嵌入所述第二背面腔體；以及
外接焊球，所述外接焊盤電連接至所述外接焊盤。
2.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第二芯片包括N個芯片，其中N≥2。
3.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第一背面腔體設置有第一內壁金屬互連，所述第一內壁金屬互連電連接至所述第一芯片的焊盤和/或電路，且所述第一內壁金屬互連電連接第一芯片凸點。
4.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第二背面腔體設置有第二內壁金屬互連，所述第二內壁金屬互連電連接至所述第二芯片的焊盤和/或電路，且所述第二內壁金屬互連電連接第二芯片凸點。
5.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第一背面腔體、第二背面腔體內具有間隙。
6.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第一芯片的正面具有第一鈍化層；所述第二芯片的正面具有第二鈍化層；所述第三芯片的正面具有第三鈍化層。
7.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第一芯片正面的第一鈍化層直接與第二芯片背面接觸。
8.如權利要求1所述的存儲芯片三維封裝結構，其特征在于，所述第二芯片正面的第二鈍化層直接與第三芯片背面接觸。
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